Cтраница 3
Это напряжение близко к напряжению отсечки входной характеристики транзистора Т3, поэтому надежное запирание этого транзистора не обеспечивается. Включение диода обеспечивает запирание указанного транзистора. Диод Д, имеющий крутую прямую ветвь в.а.х. при напряжении между анодом и катодом, большем напряжения отсечки, даже при малом анодном токе, равном эмит-терному току запертого транзистора Т3, обеспечивает напряжение между коллектором Г4 и эмиттером Тя порядка еоя. [31]
![]() |
Полевой транзистор. а - схематичное изображение, б - условное обозначение. [32] |
Напряжение U0 принято называть напряжением отсечки. [33]
Известно также [39], что напряжение отсечки всех кремниевых полевых транзисторов изменяется одинаково с изменением температуры и это изменение приблизительно равно 2 мВ / С. [34]
![]() |
Схема электронного реле, предложенная М. Л. Волиным. [35] |
При использовании автоматической регулировки ограничения напряжение отсечки, обеспечивающее ограничение по минимуму в выпрямителе, автоматически возрастает с увеличением амплитуды принимаемых сигналов. [36]
В отечественной литературе применяется термин напряжение отсечки. [37]
Одновременно применение этой схемы уменьшает напряжение отсечки характеристики преобразователя и устраняет ее нелинейность при малых входных напряжениях. [38]
Существенную погрешность может вносить непостоянство напряжения отсечки диода, которое у вакуумных диодов сильно зависит от напряжения накала. Эту составляющую уменьшают, стабилизируя напряжение накала или применяя кремниевые полупроводниковые диоды. [39]
![]() |
Виды междукаскадной связи в усилителях. i сопротивлении. б - трансформаторная. в - дроссельная е - непосредственная. [40] |
Напряжение сеточного смещения примерно равно напряжению отсечки, так что при отсутствии переменного напряжения на сетке анодный ток лампы приблизительно равен нулю, а при подаче на сетку переменного напряжения он протекает в течение приблизительно половины каждого периода. [41]
Величину t / OTC называют напряжением отсечки канала. [42]
Если положительное напряжение на затворе больше напряжения отсечки, транзистор находится в закрытом состоянии. [43]
Когда напряжение смещения сетки вдвое превышает напряжение отсечки, ток в анодной цепи проходить не будет, пока на сетку не поступит достаточно большой сигнал. Если сигнал, поступающий на сетку, достаточно большой, то напряжение сетки будет меняться в соответствии с сигналом. [44]
![]() |
Конструк - [ IMAGE ] - 103. Характеристика [ IMAGE ] - 104. Конфигурация полевого транзистора ция канального тран - канального транзистора. с изолированным затвором и каналом п-типа. эистора. [45] |