Напряжение - отсечка
Cтраница 2
 |
Расчетная зависимость U 30 - f ( Un и результаты эксперимента ( точки для маломощного полевого транзистора. [16] |
Снижение величины напряжения отсечки позволяет уменьшить величину напряжения запирающего смещения в ключевых схемах на полевых транзисторах. [17]
Большие значения напряжения отсечки ( 30 - 40 В) можно объяснить высоким последовательным сопротивлением слоев ( особенно n - слоя), а также большой высотой потенциального барьера, возникающего в р - n - переходе на алмазе. [18]
 |
Огибающая колебаний в логарифмическом режиме. [19] |
СО выбирается больше напряжения отсечки. Управляющее ( дробящее) напряжение накладывается на напряжение смещения и периодически отпирает и запирает лампу, вызывая возникновение и срыв колебаний в схеме. [20]
Однако ток и напряжение отсечки довольно сильно увеличиваются с ростом температуры. [21]
При большом разбросе напряжений отсечки в данной группе может случиться, что при выбранном по формулам ( 15) или ( 16) оптимальном напряжении смещения U3 и о или U3 и i приборы с меньшими напряжениями отсечки окажутся закрыты. [22]
 |
Начальный участок сеточной характеристики. [23] |
Принципиальные схемы измерения напряжения отсечки сеточного тока пентода изображены на рис. 9 - 10, а - измерение прямого электронного тока, и рис. 9 - 10, б - измерение в рабочем режиме. Микроамперметр должен быть ламповым или другой системы. Во втором случае последовательно с микроамперметром ставится защитное сопротивление. [24]
Величина УР называется напряжением отсечки. При Vd 0 напряжение отсечки в канале определяется напряжением затвора. [25]
 |
Зависимость напряжения отсечки МДП-транзистора типа. [26] |
Изменение порогового напряжения и напряжения отсечки МДП-транзисторов также может быть оценено по приведенному соотношению, но температурные коэффициенты изменения этих напряжений имеют существенно большую величину и составляют 8 - 10 мВ / С. На рис. 14 для примера приведены зависимости напряжения отсечки и порогового напряжения МДП-транзисторов от температуры. [27]
 |
Схема балансной системы дистанционного измерения с фоторегулятором. [28] |
Напряжение смещения U0 больше напряжения отсечки Иа; поэтому при неосвещенности фотоэлемента лампа заперта. [29]
Это напряжение близко к напряжению отсечки входной характеристики транзистора Т3, поэтому надежное запирание этого транзистора не обеспечивается. Включение диода обеспечивает запирание указанного транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5