Cтраница 1
Прямое напряжение открывает диод Д1 и создает следующую электрическую цепь: источник сигналов ( L - - 9 В), вход Еь диод Д1, резисторR - 12В На сопротивлении открытого диода происходит незначительное падение напряжения. В основном напряжение падает на сопротивлении резистора R. Следовательно, на выход схемы поступает сигнал L с меньшей амплитудой из всех поступивших сигналов и подключает обратное напряжение к диодам Д2 и Дп. Длительность сигнала L на выходе А соответствует минимальному сигналу по времени на одном из входов EI - Еп, который и определяет открытое состояние схемы. [1]
Прямое напряжение, приложенное к диоду, направлено против контактной разности потенциалов, возникающей на границе полупроводников с р - и - проводимостью. Величина этой контактной разности потенциалов составляет 0 2 - 0 5 в. При подаче прямого напряжения, большего, чем контактная разность потенциалов, запирающий слой на границе двух полупроводников перестает существовать, по диоду проходит большой прямой ток, ограниченный лишь активным сопротивлением полупроводника. [2]
Прямое напряжение U3C обоих тринисторов выключателя определяется напряжением источника питания ( 2) и должно быть одинаковым. Основной тринистор VSi должен иметь обратное напряжение Uo6pUac, а для тринистора VS2 значение t / 06p не нормируется. Вспомогательный тринистор FS2 может иметь небольшой средний ток. Диод VDt следует включать, если нагрузка имеет индуктивный характер. [3]
Прямое напряжение на тиристоре и обратное напряжение на вентилях определяются аналогично ранее рассмотренным случаям. [4]
Прямое напряжение, падает преимущественно в объеме образца, и область обеднения распространяется внутрь, как показано па фигуре. [5]
Прямое напряжение - напряжение той полярности, при которой диод, р - n - переход или другой прибор с односторонней проводимостью хорошо проводит ток. [6]
Прямое напряжение - напряжение той полярности, при которой диод, р - п переход или другой прибор с односторонней проводимостью хорошо проводит ток. [7]
Прямое напряжение - напряжение той полярности, при которой электронно-вакуумный, полупроводниковый диод или другой прибор с односторонней проводимостью хорошо проводит ток. [8]
Прямое напряжение на диоде при заданном прямом токе имеет в точечных диодах заметный разброс, а в плоскостных - более стабильно. [9]
ВАХ одного из германиевых выпрямительных диодов при разных температурах окружающей среды. [10] |
Прямое напряжение на германиевом диоде при максимально допустимом прямом токе приблизительно в два раза меньше, чем на кремниевом диоде. Это вызвано меньшей высотой потенциального барьера германиевого p - n - перехода является существенным, но, к сожалению, единственным преимуществом перед кремниевыми выпрямительными диодами. [11]
ВАХ одного из германиевых выпрямительных диодов при разных температурах окружающей среды. [12] |
Прямое напряжение на германиевом диоде при максимально допустимом прямом токе приблизительно в два раза меньше, чем на кремниевом диоде. Это вызвано меньшей высотой потенциального барьера германиевого p - n - перехода является существенным, но, к сожалению, единственным преимуществом перед кремниевыми выпрямительными диодами. [13]
Прямое напряжение на диоде в начальный период времени определяется падением напряжения на га-базе, когда уровень инжекции в га-базе еще низкий и приближенно равен / Fmpn n / S. Оно может быть достаточно большим при больших значениях прямого тока и намного превышает сумму падений напряжения на р - п и п - п переходах структуры. Затем падение напряжения на га-базе уменьшается вследствие модуляции проводимости га-базы. [14]
Прямое напряжение t / npmax - максимальное значение прямого напряжения, которое длительно можно прикладывать к прибору в прямом направлении и при котором прибор находится в закрытом состоянии. [15]