Cтраница 5
При прямом напряжении на диоде внешнее напряжение частично компенсирует контактную разность потенциалов на электронно-дырочном переходе, так как внешнее электрическое поле при прямом включении диода направлено в противоположную сторону диффузионному полю. Поэтому высота потенциального барьера перехода уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению. Пренебрегая падением напряжения на базе диода, рассмотрим диод при малых прямых токах. [61]
При прямых напряжениях избыточная концентрация положительна, что соответствует инжек-ции неосновных носителей в базу. [62]
При прямом напряжении на диоде носители разных знаков подходят к электронно-дырочному переходу. Надо понимать условность этого термина, так как прямой ток, связанный с инжекцией неосновных носителей в прилегающие к переходу области ( см. § 3.2), также сопровождается рекомбинацией инжектированных носителей либо в базе диода, либо на невыпрямляющем контакте диода. [63]
При прямом напряжении происходит инжекция ( введение, впрыскивание) дырок в n - область и электронов в р-область. Интектированные носители становятся в этих областях неосновными носителями и характеризуются некоторым значением времени жизни до наступления рекомбинации: для дырок трп в - области, для электронов трп в р-области. [64]
При прямом напряжении происходит инжекция ( введение, впрыскивание) дырок в / г-область и электронов в р-область. Интектированные носители становятся в этих областях неосновными носителями и характеризуются некоторым значением времени жизни до наступления рекомбинации: для дырок трп в n - области, для электронов т в р-области. [65]