Cтраница 3
Самое низкое прямое напряжение ( примерно 0 6 В) получается в схеме включения по способу а, когда переход коллектор - база закорочен. Самое высокое напряжение ( примерно 1 В) получается для случая г, когда цепь коллектор - база разомкнута. [31]
Увеличение прямого напряжения до десятков вольт приведет к резкому увеличению ( в 10 - 50 раз) прямого тока диода, так как вольтамперная характеристика диода в прямом направлении диода не имеет участка насыщения. [32]
Величину прямого напряжения, при которой тиристор переключается в проводящее состояние при разомкнутом управляющем электроде, называют напряжением переключения. [34]
Значение прямого напряжения предопределяет электрическую схему включения маг-нитодиода. [35]
Увеличение прямого напряжения снижает высоту потенциального барьера, и последний перестает влиять на величину протекающего через переход прямого тока. Прямой ток диода будет при этом определяться лишь сопротивлением высокоомной базы и линейно зависеть от приложенного напряжения. Этот участок характеристики диода называется омическим и составляет в большинстве случаев основную ее рабочую область. [36]
Схемы, поясняющие работу плоскостного. [37] |
Для прямого напряжения, вызывающего большой прямой ток, обратный потенциал через переход почти полностью уничтожается. [38]
Схема экспериментального определения. времени накопления.| Влившие времени накопления на выходное напряжение. [39] |
Для прямого напряжения при токе 1 / ю1мажс значения напряжения составят соответственно 0 35 и 0 62 В, что хорошо согласуется с экспериментальными данными. [40]
Увеличение прямого напряжения снижает высоту потенциального барьера, и последний перестает влиять на прямой ток, который течет через переход. [41]
Влияние прямого напряжения может быть минимизировано заменой каждого диода парой, как показано на фиг. В этой схеме падение напряжения на парах диодов ( D1 и D /, D2 и D2) и изменение напряжений с температурой взаимно компенсируются. [42]
Приложение прямого напряжения с крутым фронтом может вызвать включение тиристора через силовую цепь при напряжении, меньшем допустимого в нормальном режиме. Это в большинстве случаев ведет к повреждению прибора, так как начальная площадь включенного состояния структуры в данном случае мала и при крутом нарастании тока плотность тока достигает недопустимых значений, вызывая перегрев и повреждение структуры. [43]
Смещение р-п перехода в прямом направлении. [44] |
Полярность прямого напряжения Up противоположна полярности контактной разности потенциалов перехода фк. Поэтому потенциальный барьер перехода уменьшается и становится равным ффк - UF. Дрейфовые токи электронов и дырок через переход при этом уменьшаются, а диффузионные токи возрастают из-за снижения потенциального барьера на переходе. Условия / п 0 и / Р0, выполнявшиеся в равновесном состоянии, нарушаются. Через переход течет прямой ток IF, направление которого, как это следует из рис. 1.4 и 1.8, совпадает с направлением диффузионных токов электронов и дырок. [45]