Прямое напряжение
Cтраница 4
Источниками обратного и повторного прямого напряжения являются однополупериодные выпрямители с накопительной емкостью. [46]
 |
Распределение подвижных и. [47] |
При прямом напряжении в р-п переходе происходит инжектирование неосновных носителей в смежные области. [48]
При прямом напряжении на диоде внешнее напряжение частично компенсирует контактную разность потенциалов на р-п-перехо-де, так как внешнее электрическое поле при прямом включении диода направлено противоположно диффузионному полю. Поэтому высота потенциального барьера перехода уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению. Пренебрегая падением напряжения на базе диода, рассмотрим диод при малых прямых токах. [49]
При прямом напряжении на диоде носители разных знаков подходят к p - n - переходу. Составляющую прямого тока, связанную с процессом рекомбинации носителей в р-п-переходе, называют рекомбинационным током. Надо понимать условность этого термина, так как прямой ток, связанный с инжекцией неосновных носителей в прилегающие к переходу области ( см. § 3.2), также сопровождается рекомбинацией инжектированных носителей либо в базе диода, либо на омическом переходе диода. При больших для диода прямых напряжениях высота потенциального барьера на переходе небольшая. Поэтому прямой ток при больших прямых напряжениях будет вызван в основном инжекцией носителей через уменьшенный потенциальный барьер перехода. [50]
При прямом напряжении на диоде внешнее напряжение частично компенсирует контактную разность потенциалов на р-п-перехо-де, так как внешнее электрическое поле при прямом включении диода направлено противоположно диффузионному полю. Поэтому высота потенциального барьера перехода уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению. Пренебрегая падением напряжения на базе диода, рассмотрим диод при малых прямых токах. [51]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода с толстой базой при разных напряжениях. [52] |
При прямых напряжениях избыточная концентрация положительна, что соответствует инжекции неосновных носителей в базу. [53]
При прямых напряжениях, близких к / 7 /, формулы для толщины ОПЗ и барьерной емкости дают неопределенно большую погрешность, так как основное допущение теории об обеднении ОПЗ носителями заряда перестает выполняться. [54]
При прямом напряжении на р-п переходе в результате понижения высоты потенциального барьера концентрация носителей заряда в ОПЗ перехода повышается и становится выше равновесной. Поэтому внутри ОПЗ может происходить рекомбинация электронов и дырок. [55]
При прямом напряжении потенциальный барьер понижается, поскольку внешнее поле направлено навстречу внутреннему полю перехода. При обратном напряжении на переходе ( минус источника питания подключен к р-области) потенциальный барьер повышается, так как внешнее поле складывается с внутренним. [56]
При прямом напряжении на эмиттере через базовый электрод в базу каждую секунду входят NJje электронов со стороны отрицат. На практике величина / р близка к единице, так что лишь малая доля электронов, вошедших в базу, покидает ее в виде диффузионного потока электронов в эмиттер. Подавляющая часть вошедших в базу электронов исчезает в базе, рекомбинируя с дырками, инжектированными эмиттером. [58]
 |
Энергетическая диаграмма ( а и вольт-амперные характеристики ( б обращенных диодов. [59] |
При прямых напряжениях на таком диоде прямой ток связан с диффузией носителей через понизившийся потенциальный барьер / 7-п-перехода. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5