Пороговое напряжение

Cтраница 2

Пороговое напряжение нельзя, очевидно, отождествлять и с внутренним напряжением ст:, измеренным методом нулевой скорости ползучести0 Напряжение а. [16]

Зависимости контрастности от.| Реакция ЖК на импульсное напряжение возбуждения. [17]

Пороговое напряжение, соответствующее возникновению эффекта динамического рассеяния света в нематических ЖК, составляет 6 - 9 В при возбуждении напряжением постоянного тока. [18]

Пороговое напряжение 1 fmp - наименьшее значение высокого уровня напряжения для положительной логики или наибольшее значение низкого уровня напряжения для отрицательной логики на входе микросхемы, при котором она переходит из одного устойчивого состояния в другое. [19]

Пороговые напряжения увеличиваются при увеличении / вх. Однако благодаря тому, что ток смещения также увеличивается, это несущественно влияет на работу схемы. Остальные конденсаторы ( кроме С1) отфильтровывают высокочастотные помехи в схеме. [20]

Пороговое напряжение Uпор определяется технологией производства МОП-транзисторов. [21]

Пороговое напряжение слабее зависит от напряжения исток - подложка в транзисторе с коротким каналом, чем с длинным. Действительно, рост ( / ип увеличивает высоту потенциального барьера р-п перехода исток - подложка, как и в случае длинного канала. Но одновременно из-за расширения стокового р-п перехода увеличивается напряженность продольного электрического поля, что частично компенсирует рост высоты барьера у поверхности, а значит, и порогового напряжения. [22]

Пороговое напряжение 1 С ор-наименьшее значение высокого уровня напряжения для положительной логики или наибольшее значение низкого уровня напряжения для отрицательной логики на входе микросхемы, при котором она переходит из одного устойчивого состояния в другое. [23]

Пороговое напряжение [ 70 есть минимальное значение энергии электронов или их скорости, необходимой для того, чтобы вызвать свечение люминофора. Если скорости электронов соответствуют напряжению меньше порогового - значения, то электроны не способны вызвать свечение и в результате соударения теряют свою энергию на нагревание экрана. Пороговое значение потенциала связано с существованием определенной энергии возбуждения электронов, при которой возникают оптические переходы. [24]

Пороговые напряжения для простоты предполагаются одинаковыми для обоих транзисторов. Это соответствует области / передаточной характеристики на рис. 8.10, а. При Uoxl / ix / 7-канальный транзистор работает в режиме насыщения, а п-канальный не насыщен, чему соответствует область III на передаточной характеристике. [25]

Пороговое напряжение Электроны, образующие спицу, описывая витки эпициклоиды поднимаются от катода и постепенно уходят на анод. По мере вращения спица пополняется электронами с новых участков катода. Таким образом, электроны в спицах непрерывно перемещаются в радиальном направлении от катода к аноду. [26]

Наименьшие пороговые напряжения соответствуют колебаниям л-вида ( п N / 2), что служит важным преимуществом этого вида колебаний. [27]

Пороговое напряжение структуры на n - подложке по модулю выше, чем структуры на р-подложке, поскольку положительный поверхностный заряд способствует образованию инверсного п-слоя, но препятствует формированию инверсного р-слоя. [28]

Пороговое напряжение открывания оказывается тем меньше, чем выше степень легирования канала и чище поверхность кремния под изоляцией. [29]

Пороговое напряжение VV - t и волновой вектор Кфл таких доменов определяются модулями упругости и абсолютной величиной разности флексомодулей еи-еаэ, а также анизотропией диэлектрической проницаемости. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5