Пороговое напряжение

Cтраница 4

Пороговое напряжение фазового перехода зависит от шага холестерической спирали, диэлектрической анизотропии и толщины слоя жидкого кристалла. Все три фактора легко управляемы: шаг спирали можно изменять, разбавляя холестерический кристалл тематическим или холестерическим с противоположным знаком вращения, анизотропия меняется при добавлении нематика с большой положительной анизотропией. На практике это позволяет изменять пороговое напряжение от единиц вольт до напряжений, ограниченных лишь электрической прочностью. Наклон кривой ( рис. 9) в до-пороговой области объясняется образованием конфокальной структуры и турбулентным движением кристалла, аналогичным динамическому рассеянию. [46]

Пороговое напряжение логического нуля Uvat - наибольшее значение низкого уровня напряжения для положительной логики или наименьшее значение высокого уровня напряжения для отрицательной логики на входе микросхемы, при котором она переходит из одного устойчивого состояния в другое. [47]

Пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы ( I / 1) - наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы, при кою-ром происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое. [48]

Пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы ( /) - наибольшее значение напряжения низкого уровня на нходе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое. [49]

Рассмотрим пороговое напряжение Ут более подробно. Величина Vr зависит от материала затвора, плотности поверхностного заряда, толщины подзатворного окисного слоя и концентрации примеси в полупроводнике. В частности, для управления величиной Ут широко используется метод ионной имплантации. [50]

Схема детектора с транзистором, одновременно усиливающим напряжение АРУ. [51]

ЕГО пороговое напряжение значительно меньше, чем у точечных диодов, так что небольшого отрицательного смещения, порядка 0 1 в, создаваемого делителем напряжения R Rz, достаточно, чтобы сделать возможным детектирование сигналов с малой амплитудой. [52]

Равномерное деление обратного и прямого запираемых напряжений при последовательном соединении тиристоров. [53]

Если пороговое напряжение стабилитронов подобрано иравильно, то полный ток утечки в последовательной цепочке получается лишь незначительно больше ( максимального тока утечки наихудшего тиристора. Измеренное при максимально допустимой температуре пороговое напряжение стабилитронов должно быть равно или несколько меньше ( прямого напряжения переключения тиристора, а тек стабилитронов, соответствующий при этом загибу характеристики, должен IB 2 раза превышать максимальный ток утечки тиристора. [54]

Поскольку пороговое напряжение р-канального прибора Uop выше, чем у - канального прибора U0n, напряжение питания должно быть выше Uop. В этом случае обеспечивается высокая помехоустойчивость логической схемы и хорошее быстродействие. [55]

Уменьшение порогового напряжения вызывает рост то-ка стока. Таким образом, температурные изменения крутизны и порогового напряжения могут компенсировать друг друга. На рис. 5.10 показаны стокозатворные характеристики транзистора при двух температурах. Они пересекаются в точке А, т.е. существует такая рабочая точка на характеристиках транзистора, в которой ток стока не зависит от температуры. Это свойство транзистора используется для создания схем с повышенной температурной стабильностью. [56]

Уровень порогового напряжения можно изменять ( t / nop Ф 0), если последовательно с резистором ( см. рис. 6.7, а) или диодом ( см. рис. 6.7, в) включить дополнительно источник смещения Есм. [57]

Определение пороговых напряжений - процесс сложный, требующий обычно большого количества образцов для испытаний на разных уровнях напряжений. [58]

Уровень пороговых напряжений, определенный на гладких образцах, не может быть использован для того, чтоб. [59]

Зависимость VT ( а и м / г / Г ( б юлщины пленки d 31. до ( / и после ( 2 гидрогенизации. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5