Пороговое напряжение

Cтраница 3

Здесь пороговые напряжения обоих транзисторов приняты одинаковыми, что характерно для дискретных схем, в которых подложки можно соединять с истоками. [31]

Частотные характеристики порогового напряжения в НЖК с Де О ( МББА, легированный га - цианфениловым эфиром n - гептилбензойной кислоты, Т 22 С. 1 - 4. Де 0 1. 0 4 2 - Ю-10 ( 1, 5 6 - Ю-10 ( 2, 2а, 2 6 - lQ - 9 ( 3, [ 5 5 - 10 - ( 4 Ом-1 - см-1. 5. Де 6 5. ац4 - 10 - п Ом-1 - см-1. Толщина ячейки 20 мкм ( J - 5 и 40 мкм ( 2а. [32]

Пороговые напряжения образования этих доменов приведены на рис. 5.27 в зависимости от частоты для гомеотропно ориентированных образцов НЖК с различной величиной Де ( от 0 1 до 6 5) и электропроводности. [33]

Пороговое напряжение Unop - входное напряжение, малые отклонения от которого в ту или другую сторону приводят к переходу уровня сигнала на выходе ЛЭ из 1 в 0 или обратно. [34]

Передаточные характеристики элемента ДТЛ. [35]

Пороговые напряжения схемы определяют следующим образом. [36]

ТТЛ элемент с повышенной помехоустойчивостью. а - схема. б - характеристика вход-выход.| Эпюры изменения напряжений при переключении ТТЛ элемента. [37]

Входное пороговое напряжение определяется в точке А, так как на участке АБ всякая помеха, пришедшая на вход, передастся на выход в инвертированном виде с той же амплитудой. [38]

Пороговое напряжение разрядного конденсатора емкостью 100 - 500 пФ разряжаемого на корпус испытуемого ЦТС через резистор сопротивлением 150 - 5000 Ом составляет 500 - 6000 В. [39]

Обычно пороговое напряжение нуль-индикатора значительно меньше измеряемого напряжения и рассматривается как погрешность. [40]

Пороговое напряжение типа Рк, ниже которого фиксируются только мгновенноупругие и высокоэластические деформации. [41]

ЗЭ на МДП-транзисторах разной проводимости. [42]

Пороговые напряжения открывания транзисторов подбирают таким образом, чтобы в одном плече триггера при открытом нижнем транзисторе верхний был закрыт и наоборот. Вследствие этого потребляемая мощность теоретически равна нулю, но вследствие токов утечки составляет доли мкВт / бкт. [43]

Пороговое напряжение логического элемента t / nop - входное напряжение, малые отклонения от которого в ту или другую сторону приводят к переходу логического элемента на его выходе из состояния 1 в состояние О или обратно. [44]

Пороговое напряжение незапрограммированной ячейки приблизительно равно 1 В. При этом хранение О соответствует состоянию транзистора с незаряженным плавающим затвором. При стирании информации фронт импульса стирания амплитудой 35 В прикладывается к истоку И, при этом управляющий затвор 3 заземляется, а сток С остается плавающим. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5