Cтраница 1
![]() |
Образование выпрямляющего р - / 1-перехода - заряд иона донора. - - дырка. - - заряд иона акцептора. Q - электрон. [1] |
Внешнее напряжение такой полярности называется запирающим, пли обратным. Практически при очень небольших запирающих напряжениях ток диффузии уменьшается до нуля. [2]
Внешнее напряжение такой полярности называется проводящим, или прямым. [3]
Внешние напряжения иногда можно уменьшить, изменяя конструкцию изделия или условия эксплуатации. [4]
![]() |
Область р - n - пере. хода в полупроводнике. Внешнее напряжение отсутствует ( а, подключено в обратном направлении ( 6 и подключено в прямом направлении ( в. [5] |
Внешнее напряжение отталкивает электроны глубже внутрь n - области, а дырки в глубь р-области полупроводника; происходит расширение двойного слоя объемных зарядов. [6]
Внешнее напряжение при полярности, соответствующей первому случаю, называют прямым, второму - обратным. [8]
Внешние напряжения стимулируют ВИР ( рис. 3.32), которое в дальнейшем развивается с образованием трещин СКРН. [9]
Внешнее напряжение нарушают равновесие в р - n - переходе, и через него начинает проходить ток. [10]
Внешние напряжения, приложенные к р-п переходу, будут изменять высоту потенциального барьера и соотношение между диффузионным током и током проводимости через переход. [11]
Внешнее напряжение и и напряжение конденсатора ис в любой момент времени равны друг другу. [12]
![]() |
Ход потенциальной энергии электронов ( сплошные. [13] |
Внешнее напряжение нарушает равновесие, так что уровни Ферми обеих областей смещаются друг относительно друга. При прямом напряжении уровень Ферми в р-области располагается ниже, чем в и-области. [14]
Внешнее напряжение по мере его повышения действует на свободные дислокации, заставляя их перемещаться и оказывать давление на частицы, блокирующие их плоскости скольжения. [15]