Внешнее напряжение

Cтраница 2

Внешние напряжения а [, т [ 2, TIS, действующие на боковую по-верхность ( см. рис. 4.18), считаются известными функциями аргументов г и осг. [16]

Внешние напряжения иногда можно уменьшить, изменяя конструкцию изделия или условия эксплуатации. [17]

Трещины ВИР ( а и СКРН ( б в стали 20 ( х50. [18]

Внешние напряжения стимулируют ВИР ( рис. 3.32), которое в дальнейшем развивается с образованием трещин СКРН. [19]

Внешние напряжения а [, т [ 2, TIS, действующие на боковую по-верхность ( см. рис. 4.18), считаются известными функциями аргументов г и осг. [20]

Внешние напряжения приводят либо к образованию преимущественно ориентированных кристаллов мартенсита, либо к переориентации мартенситной структуры. В процессе обратного мартенситного превращения при нагреве восстанавливаются исходные кристаллы высокотемпературной фазы, что приводит к устранению пластической деформации. В зависимости от степени восстановления исходной формы память бывает неполной ( частичной) и полной. [21]

Структура ( а, движение носителей заряда ( б, в и потенциальный барьер ( г, д р - п - р-транзистора. [22]

Внешнее напряжение подключают к транзистору так, чтобы обеспечить смещение эмиттерного перехода в прямом направлении, а коллекторного перехода - в обратном. [23]

Внешнее напряжение т, распределяясь по межатомным связям, несколько ослабляет силы сцепления атомов, снижает потенциальный барьер, препятствующий распаду межатомных связей, от U0 до U ( o) U0 - уа - Затем атомы ждут прихода флуктуации Е я U ( a), к-рые и разорвут межатомные связи. Такие разрывные флуктуации начнут поступать на нек-рые атомы сразу после приложения нагрузки, на другие - позднее, а за время порядка т л флуктуации посетят большую долю атомов в каком-либо сечении образца и разорвут значительное число связей. [24]

Внешнее напряжение и и напряжение конденсатора ис в любой момент времени равны друг другу. [25]

Внешнее напряжение, приложенное плюсом к металлу, а минусом к полупроводнику, складывается с контактной разностью потенциалов; при этом еще больше обедняется носителями приконтактный слой и увеличивается его сопротивление. Напряжение такой полярности является обратным, и ток, протекающий через контакт, весьма мал ( КГ1 - 10 - 12 А) и сравним с тепловым током обычных кремниевых диодов. [26]

Внешнее напряжение нарушает равновесие, так что уровни Ферми обеих областей смещаются друг относительно друга. При прямом напряжении уровень Ферми в р-области располагается ниже, чем в и-области. [27]

Пока внешнее напряжение мало и потенциал электрода ниже потенциала разряжения, ток в растворе электролита практически отсутствует ( / - ИЗ), электролиз не идет. Когда напряжение достигает определенной величины, начинается разряжение ионов, в электролитической ячейке появляется ток. Сила тока резко увеличивается, потому что скорость разряжения ионов или восстановления ( окисления) молекул ( электровосстанавливающегося или электро-окисляющегося вещества) на беспрерывно обновляющейся Поверхности ртутного капельного электрода протекает с большой скоростью. У поверхности катода ( анода) концентрация исследуемого вещества непрерывно уменьшается. [28]

Внешнее напряжение ст, распределяясь по межатомным связям, несколько ослабляет силы сцепления атомов, снижает потенциальный барьер, препятствующий распаду межатомных связей, от U0 до 17 ( а) и0 - уа. Затем атомы ждут прихода флуктуации Е U ( a), к-рые и разорвут межатомные связи. Такие разрывные флуктуации начнут поступать на нек-рые атомы сразу после приложения нагрузки, па другие - позднее, а за время порядка тф флуктуации посетят большую долю атомов в каком-либо сечении образца и разорвут значительное число связей. [29]

Внешнее напряжение U приводит к изменению размеров переходной области, занятой избыточными зарядами. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5