Внешнее напряжение

Cтраница 3

Структура ( а и вольтамперная характеристика ( б четырехслойного диода типа р-п-р-п.| Структура ( а четырехслойного диода типа р-п-р-п и его транзисторный эквивалент ( б. [31]

Внешнее напряжение U в этом случае считается положительным, а при обратной полярности - отрицательным. [32]

Если внешнее напряжение приложено так, что р область положительна, а п область отрицательна, то уже при малых значениях этого напряжения могут протекать сравнительно большие токи. Поэтому такое направление у диода называют прямым или пропускным. При обратной полярности приложенного напряжения и значительно больших его значениях протекают небольшие токи и такое направление диода называют обратным или запорным. [33]

Если внешние напряжения на боковой поверхности отсутствуют, то напряжения Хх, Yv, Xv ( как во вспомогательной, так и в исходной задачах) таковы, как если бы тело было подвергнуто при отсутствии внешней нагрузки и при равномерной температуре заданной дислокации. [34]

Приложим внешнее напряжение к структуре в прямом направлении: плюс - к п-слою, минус - к металлу. [35]

Аппроксимированная прямая ветвь. [36]

Когда внешнее напряжение достигает определенного значения, называемого критическим, происходит включение тиристора. [37]

Синхронизация релаксационного колебавшая. [38]

Если внешнее напряжение в течение одного из полупериодов снято и синхронизация прв-исходит только, например, при положительном напряжении релаксатора, то можно добиться устойчивой синхронизации при любом отношении частот. Практически это отношение редко берется больше чем 1: 5 ив тех случаях, когда требуются более высокие отношения, применяют два или более каскадов. [39]

Медленная схема с реле типа 3 000 ( сопротивление обмотки - 20 ком, ток срабатывания-1 ма, ток отпускания 0 5 ма, темно-вой ток фотодиода 60 и 200 мка при 20 и 35 С соответственно.| Быстродействующая схема с поляризованным реле, питаемым постоянным или переменным ( до 50 гц током. Перемена позиции якоря происходит при включении вторичной обмотки. Для увеличения чувствительности схема балансируется так, чтобы для срабатывания было достаточно 0 5 ма. [40]

Подавая внешнее напряжение в направлении запирания, можно получить весьма большие чувствительности. [41]

Если внешнее напряжение таково, что оно уменьшает величину потенциального барьера в р-п переходе ( к вбласти р подключен положительный полюс источника), то величина диффузионного тока основных носителей заряда резко возрастает. При отрицательном потенциале на полупроводнике типа р увеличивается высота потенциального барьера, диффузионный ток также резко падает. Величина тока неосновных носителей заряда меняется незначительно с изменением внешнего напряжения. [42]

Пусть внешнее напряжение приложено плюсом к р-области, а минусом - - к л-области. [43]

Смещение р-п перехода в прямом направлении. [44]

Поэтому внешнее напряжение, если приложить его к полупроводнику с переходом, практически полностью будет приложено к области объемного заряда перехода. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5