Внешнее напряжение

Cтраница 4

Распределение концентраций ( а и токов ( б в диоде при прямом смещении. [46]

Все внешнее напряжение приложено к / э-п-переходу. [47]

Энергетические диаграммы выпрямляющего контакта металла с полупроводником при увеличении внешним напряжением высоты барьера ( а ( запирающее направление, и при его уменьшении ( б ( прямое направление. [48]

Если внешнее напряжение приложено в противоположном направлении, ширина обедненного слоя и его сопротивление уменьшаются. При значительном увеличении этого напряжения потенциальный барьер исчезает и ток через контакт резко возрастает. Следовательно, выпрямляющий контакт металл - полупроводник обладает нелинейными свойствами, которые широко используются при создании различных полупроводниковых приборов. [49]

Переход р-п с внешним напряжением приложенным в обратном направлении. [50]

Если внешнее напряжение приложено к р-п переходу так, что n - область заряжена положительно относительно р-области перехода ( рис. 134), то электроны вытягиваются из р-п перехода в направлении к - области, а дырки - в направлении к / 7-области. [51]

Поскольку внешнее напряжение, прикладываемое к электродам, не превышает 1 в, то катионы К в переносе зарядов не участвуют, так как для их разряда необходимо иметь на катоде отрицательный потенциал около - 2 в. Однако растворенный йод при наличии ионов J - может находиться в растворе только в виде трех-йодных ионов JJ. Если к электродам преобразователя приложить напряжение, то йодные ионы J - будут перемещаться к аноду и отдавать ему свои электроны. [52]

Если внешнее напряжение U уве личивает высоту барьера ( на / j - область подан минус. Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар, равной в ед. [53]

Подайте переменное внешнее напряжение на гнездо - ф усилителя X, расположенное на правой боковой панели осциллографа. Амплитуда этого напряжения не должна превышать 10 В. [54]

Вольт-амперная характеристика тиристора при различных усилиях, прикладываемых к игле. [55]

Полярность внешнего напряжения выбирают такой, чтобы смещение на переходе Шоттки между молибденовым контактом и базой было обратным. С увеличением давления на электрод увеличивается ток эмиттера. [56]

Подключение внешнего напряжения, как и в случае симметричного перехода, нарушает равновесие. При прямом включении внешней батареи высота потенциального барьера уменьшается и течет прямой ток, который определяется в основном движением дырок из р-области в тг-область. [57]

Приложение внешних напряжений вызывает быстрое разрушение, когда полимер находится при температурах, близких к температуре хрупкости, но все еще сохраняет достаточную гиб кость. Можно ожидать, что материал, чувствительный к термическому растрескиванию, станет хрупким после достаточно долгой выдержки при повышенной температуре. Время выдержки может составлять от тысячи часов для очень высокомолекулярного полиэтилена средней или высокой плотности до нескольких часов для его низкомолекулярного аналога линейного строения. [58]

Приложение внешнего напряжения нивелирует специфичность влияния наполнителя на процесс кристаллизации вулканизатов. [59]

Влияние внешнего напряжения, приложенного к переходу между двумя разнородными полупроводниками, показано на фиг. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5