Напыление - пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Легче изменить постановку задачи так, чтобы она совпадала с программой, чем наоборот. Законы Мерфи (еще...)

Напыление - пленка

Cтраница 1


Напыление пленки из полиамидов применяется в основном в подшипниках приводных и распределительных механизмов паровозов ( фиг.  [1]

Напыление пленки хрома производится в высоком вакууме ( до 1 10 6 мм рт. ст.) при скорости напыления 5 - 10 А / с предпочтительно с использованием планетарного вращения подложек для получения равномерной по толщине пленки и подавления роста крупных кристаллов.  [2]

Напыление пленок окиси цинка гораздо труднее из-за того, что давления паров компонент сильно отличаются друг от друга.  [3]

4 Зависимость длины сво. [4]

Когда напыление пленок происходит при высоком вакууме, атомы испаряемого вещества летят независимо друг от друга по прямым линиям без взаимных столкновений ч столкновений с молекулами остаточных газов вплоть до конденсации на поверхности стенок сосуда. На противоположной к маске стенке образуется четкое изображение маски, на закрытых частях которой полностью отсутствуют конденсированные частички пара. Изображение маски в точности соответствует ее геометрической тени, которая могла бы быть получена в том случае, если испаритель заменить точечным источником света.  [5]

Для напыления пленок термическим испарением в вакууме, в основном, применяются следующие два метода: напыление в прямом пучке и напыление в квазизамкнутом объеме. При напылении в квазизамкнутом объеме [7] прямого пути от источника до подложки нет, и средняя длина свободного пробега кала по сравнению с расстоянием испаритель - подложка, в результате поток испаренных частиц теряет свою направленность.  [6]

Для напыления сверхпроводящих пленок ( в основном из олова и свинца) можно применять испаритель, представляющий собой изотермический тигель с радиационным нагревом от танталовых ленточных нагревателей. Тигель ( рис. 3 - 55 в) имеет вид молибденовой ячейки с небольшим отверстием. Для получения удовлетворительной равномерности пространственного распределения плотности потока выбрана специальная форма канала с выходным отверстием, равным 2 4 мм.  [7]

Время напыления пленки 10 - 20 мин. Исследование структуры напыленного слоя, про-веденнор с помощью электронного микроскопа, показало, что пленка, образуемая на поверхности замороженной пробы, имеет, по всей вероятности, равномерную толщину и плотность. Величина частиц распыленного в искровом разряде золота не превышает 0 1 - 0 2 мкм. Во время масс-спектрометрического анализа жидкостей золотая пленка обеспечивает подвод энергии к месту разряда, и одновременно с ее помощью осуществляется отвод тепла с поверхности пробы, о чем свидетельствует низкое давление паров исследуемого вещества ( 10 - 6 - 10 - 7 мм рт. ст.) в камере ионного источника при проведении эксперимента. Проводящая металлическая тонкая пленка на поверхности анализируемой жидкости обеспечивает спокойное искрение, и при наборе экспозиций ( от 5 - 10 - 5 до 300 м / с) расходуется 1 - 2 мг исследуемого вещества. Ионные токи, регистрируемые монитором, составляют около 3 - 10 - 10 а, что для сопоставимых режимов работы искрового источника в 3 - 4 раза больше их значений, обычно наблюдаемых при анализе проводящих твердых образцов.  [8]

При постепенном напылении пленки становятся сплошными после достижения ими толщины более миллионных долей сантиметра. До этого они состоят из раздельных микроостровков и поэтому называются остров-ковыми, или диспергированными, пленками. Такие пленки представляют для науки особый интерес. Поскольку их островки обладают чрезвычайно малыми размерами, они становятся квантовомеханическими объектами. У них проявляются свойства, отсутствующие у толстых пленок, что открывает новые возможности их применения, особенно в связи с микроминиатюризацией.  [9]

10 Последовательность получения тонкопленочного элемента с помощью фоторезистивной маски.| Последовательность получения тонкопленочного элемента с помощью металлической маски. [10]

Следующий этап - напыление пленки требуемого материала 3, который осаждается на открытые части подложки и маску. При опускании подложки в состав с травителем материал контактной маски растворяется и одновременно удаляется нанесенная на нем пленка напыляемого материала микросхемы. Поскольку для растворения материала контактной маски требуются слабые травители, то подложка не разрушается. Этот метод дает четкие и резкие края рисунка 4 схемы вследствие отсутствия зазора между маской и подложкой.  [11]

Поскольку в процессе напыления пленки растет ее толщина, интенсивность света, проходящего через пленку, уменьшается, а отраженного увеличивается. Изменение интенсивности отраженного света фиксируется фотоэлементом, на выходе которого стоит чувствительный прибор. Этот метод применяется только для измерения толщины тонких полупрозрачных пленок. Пленки толщиной порядка 600 А и выше почти полностью поглощают свет. По этой причине этот метод для контроля толщины пленочных элементов микросхем практически не применим.  [12]

Наиболее общий способ напыления пленок состоит в омическом нагревании спирали ленты. До напыления их обезгаживают продолжительным нагреванием в высоком вакууме при температуре, достаточно низкой для того, чтобы избежать заметного испарения металла, после чего температуру повышают и получают на стенках содержащего металл сосуда напыленную пленку. Нагревание окружающих стенок лучистой энергией может приводить к десорбции примесей, которые затем загрязняют пленку; этого можно избежать, применяя импульсный нагрев металла. Металлы, имеющие при температуре плавления слишком низкое давление паров, чтобы можно было достичь подходящих скоростей испарения, наматывают на тугоплавкий металл ( например, вольфрам или молибден) или испаряют из тугоплавкого тигля. Большинство напыленных пленок пористые, они имеют относительно высокие площади поверхности; чтобы избежать существенных изменений площади поверхности во время опытов, пленки необходимо до исследования прокалить для спекания при самой высокой из намеченных для последующих опытов температуре.  [13]

Схема установки для лазерного напыления пленок JBio Sbi Teg, описанная в [78], показана на рис. 2.5. Давление в вакуумной камере составляет 1 - Ю 5 Тор.  [14]

Схема установки для лазерного напыления пленок JBio 5Sbii6Te3, описанная в [78], показана на рис. 2.5. Давление в вакуумной камере составляет 1 - Ю 5 Тор.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5