Напыление - пленка
Cтраница 4
На - рис. 13 - 10 изображена схема расположения подложки и испарителя при термовакуумном напылении пленок. [46]
 |
Насадочньй аппарат. 1-неподвижная насадка. 2 - опорные решетки. 3, 4-соответст-венно распределители и перераспределители жидкости. [47] |
Обычно установка для Н.в. включает след, узлы: рабочую камеру, в к-рой осуществляется напыление пленок; источники испаряемых или распыляемых материалов с системами их энергопитания и устройствами управления; откачную и газораспределительную системы, обеспечивающие получение необходимого вакуума и организацию газовых потоков ( состоят из насосов, натекателей, клапанов, ловушек, фланцев и крышек, ср-в измерения вакуума и скоростей газовых потоков); систему электропитания и блокировки всех устройств и рабочих узлов установки; систему контроля и управления установкой Н.в., обеспечивающую заданные скорость напыления, толщину пленок, т-ру пов-сти деталей, т-ру отжига, физ. [48]
Основное преимущество фотоситадловых масок по сравнению с металлическими заключается в том, что из-за относительно небольшой их теплопроводности напыление пленок осуществляется при меньших градиентах температуры на подложке. [49]
 |
Схема установки для напыления алмазных пленок при использовании метода кислородно-ацетиленовой горелки с чередованием процессов роста и травления. [50] |
Следует отметить, что практически обязательной при использовании метода CVD является полировка поверхности подложки алмазным порошком для внесения зародышей центров роста при напылении пленки. [51]
Последнее качество может быть полностью реализовано лишь при высоком качестве проведения сопутствующих планарной технологии процессов фотолитографии, окисления поверхности, локальной диффузии примесей, напыления пленок. [52]
Его элементы - диоды, транзисторы, резисторы и конденсаторы - формируются в небольшом объеме полупроводникового материала или на его поверхности путем выращивания кристаллов и напыления пленок. В процессе их формирования осуществляются и соединения между ними в соответствии со схемой, при этом резко сокращается число внешних проводников, упрощается монтажная схема, уменьшается объем устройства и повышается его надежность. В зависимости от функционального назначения интегральные микросхемы делят на аналоговые и цифровые. Они преобразуют непрерывные сигналы и имеют широкие возможности для использования их в измерительных органах. На основе цифровых микросхем выполняют, в частности, логическую часть устройств релейной защиты и автоматики. Они преобразуют и обрабатывают дискретные сигналы, выраженные в двоичном или другом цифровом коде. Использование полупроводниковых интегральных микросхем в устройствах релейной защиты и автоматики позволяет повысить их быстродействие, уменьшить массу и габаритные размеры, значительно сократить потребление мощности. Кроме того, в связи с отсутствием движущихся частей и контактов эти устройства имеют более высокую надежность по сравнению с электромеханическими системами. [53]
 |
Технологический маршрут получения резмстивного и проводящего элементов методом двойной фотолитографии. [54] |
При производстве пленочных микросхем, содержащих проводники и резисторы из двух различных ( высокоомного и низкоомного) резистивных материалов, рекомендуется такая последовательность операций: поочередное напыление пленок сначала высокоомного, затем низкоомного резистивных материалов; напыление материала проводящей пленки; фотолитография проводящего слоя; фотолитография низкоомного резистивного слоя; фотолитография высокоомного резистивного слоя; нанесение защитного слоя. [55]
Полиэтилен с молекулярным весом 20000 - 40000 легко перерабатывают на пленки каландрованием, экструзией, экструзией с вытяжкой при помощи сжатого воздуха, а также огневым напылением пленок из расплавов. [56]
Принцип работы состоит в измерении величины отражения или пропускания материала пленки, осажденной на контрольном диске, который помещается в рабочее пространство вакуумного агрегата во время напыления пленки. [57]
Уменьшение внутренних напряжений в пленках меди при увеличении скорости осаждения объясняется, во-первых, тем, что при фиксированной толщине с ростом скорости осаждения и сокращением времени напыления пленки уменьшается температура поверхности подложки. Это уменьшает термическую составляющую внутренних напряжений. [58]
В других источниках [38] предлагают очищать стеклянные подложки в щелочи, хромовой смеси и парах изопропилового спирта, а также подвергать подложки термической обработке при температуре 400 - 420 С в вакуумной камере непосредственно перед напылением пленки. [59]
На технологических участках целесообразно выполнять следующие операции: 1) механизированные по виду процесса, вне прямой зависимости от конструкции изделия ( например, изготовление обмоток, микроэлементов); 2) требующие для своего выполнения специфических условий ( например, напыление пленок): 3) общие для многих участков и цехов. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5