Напыление - пленка
Cтраница 3
Присутствие аналогичных центров структуры было установлено и при напылении пленок Ag на подложку из кварцевого стекла. Частицы свежеприготовленных серебряных золей в растворах имеют аморфную структуру. По мере старения происходит переход частиц в кристаллическое состояние. [31]
Они описали два метода анализа газов, которые включают напыление Ni пленок толщиной от 2 до 6 мкм с последующим переводом газов в паровую фазу, в которой газы затем анализируются с помощью масс-спектрометрни. Один из этих методов использует пленки с известной площадью и весом, покрывающие Та-фольгу 0 0023 см, которые помещаются в Та-лодочку и нагреваются резистивным нагревателем. Во втором методе известный объем пленки испаряется с помощью лазера. Площадь, подвергаемая воздействию лазера, составляет около 1 мм в диаметре. Было установлено, что концентрации изменялись от Ю-1 до 10 - 4 атомов аргона на атом Ni, в зависимости от условий выращивания пленки. [32]
 |
Влияние термообработки на коэрцитивную силу.| Зависимость коэрцитивной силы никелевой пленки от ее толщины и температуры подложки. [33] |
Предварительный подогрев подложек и поддержание этой температуры в процессе напыления пленки оказывают влияние на механическую прочность покрытий, адгезию пленки с основанием и самое главное на ее доменную структуру. [34]
Элементы многослойной металлизированной разводки БИС ( СБИС) получают напылением пленок высокопроводящих металлов или сплавов металлов с последующей литографией напыленных слоев. [35]
К ним относятся: очищение металлических нитей мгновенным раскаливанием, напыление пленок металлов и бомбардировка твердых поверхностей положительными ионами. [36]
В настоящее время пленочные термометры все чаще изготавливают также методом напыления пленки на подложку. [38]
Гибридные МС, элементы и межэлементные соединения которых созданы методом напыления пленок на поверхность подложек из стеклокерамики или иного материала с высокими диэлектрическими свойствами, называют тонкопленочными. [39]
 |
Электронно-микроскопический снимок и электронограмма поликристаллической пленки платины, напыленной на стекло при 273 К. [40] |
Кроме того, величина кристаллитов увеличивается при повышении температуры подложки в процессе напыления пленки; это сопровождается также снижением величины R вследствие общего сглаживания поверхности пленки и исчезновения щелей между кристаллитами. [41]
Существование волн типа H0m также определяется либо способом возбуждения, либо анизотропией напыления пленок. Так, при кольцевом напылении пленок продольные токи в них отсутствуют и в волноводе заведомо могут распространяться лишь симметричные Н - волны. [42]
Электроннолучевое испарение тантала в высоком вакууме позволяет приблизительно на порядок повысить скорость напыления пленки по сравнению с катодным распылением. Если учесть, что давление остаточных газов при вакуумном напылении на 3 - 5 порядков ниже, то становится очевидной меньшая степень загрязнения получаемых таким образом пленок. [44]
Необходимо отметить, что температура эпитаксии зависит также от глубины вакуума при напылении пленки полупроводника. Так, соотношение (2.31) выполняется только для случая идеального вакуума, когда газовая среда не содержит кислорода. Реально наблюдаемая температура эпитаксии несколько выше теоретической. Она понижается с улучшением вакуума, приближаясь к расчетной. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5