Cтраница 2
Процесс нанесения покрытий термическим напылением в вакууме основан на свойстве паров металла осаждаться на поверхности, поставленной на их пути. Металл, из которого хотят получить покрытие, помещают в вакуумную камеру ( давление 10 - 2 - 1 ( Г3 Па) и нагревают до температуры, при которой давление его паров достигает порядка 1 Па. [16]
Диэлектрик конденсатора формируется методами термического напыления, ионно-плазменного и реактивного распыления. [17]
Испарение теллурида свинца при термическом напылении производят, как правило, из твердой фазы, что позволяет стабилизировать состав паров за счет образования на поверхности шихты буферного слоя, обедненного легколетучим теллуром. В результате после начального периода испарения, характеризующегося избытком теллура в парах, процесс переходит в стадию, соответствующую минимальному давлению паров при данной температуре, причем источники и пар имеют приблизительно одинаковый состав. По данным [62], при температуре испареция 670 - 730 С эти условия соответствуют слабому избытку свинца Данные, характеризующие изменение состава паровой фазы при напылении теллурида свинца на пленку в условиях сверхвысокого вакуума, и специальные меры, применяемые по очистке подложки и испарителя ( см. разд. [18]
Испарение теллурида свинца при термическом напылении производят, как правило, из твердой фазы, что позволяет стабилизировать состав паров за счет образования на поверхности шихты буферного слоя, обедненного легколетучим теллуром. В результате после начального периода испарения, характеризующегося избытком теллура в парах, процесс переходит в стадию, соответствующую минимальному давлению паров при данной температуре, причем источники и пар имеют приблизительно одинаковый состав. По данным [ 62, при температуре испарения 670 - 730 С эти условия соответствуют слабому избытку свинца Данные, характеризующие изменение состава паровой фазы при напылении теллурида свинца на пленку в условиях сверхвысокого вакуума, и специальные меры, применяемые по очистке подложки и испарителя ( см. разд. При уменьшении скорости напыления от 0 21 до 0 046 нм / с вследствие возрастания потерь теллура из пленки при медленном напылении концентрация электронов резко возрастала от 1016 до 3 - Ю18 см-3. [19]
Бикбаевой [15] получены различные фракции асфальтенов термическим напылением в глубоком вакууме. [20]
Схема умножения на оптопаре.| Волноводные лазеры ( а, б и фотоприемники ( а, г. [21] |
Существуют различные способы получения диэлектрических волноводов: термическое напыление пленок в вакууме, осаждение материала пленки путем протонного облучения, образование волновода путем ионного обмена. [22]
Как уже отмечалось, книга посвящена методу термического напыления в вакууме для получения антикоррозионных и защитно-декоративных покрытий на металлах и неметаллических материалах. Одним из основных параметров процесса является температура защищаемой поверхности, поэтому необходимо рассмотреть тепловой режим подложки в процессе вакуумной металлизации. [23]
Устройство для изготовления электрофотографических пластин методом распыления. [24] |
Наилучшее качество селеновых покрытий может быть достигнуто путем термического напыления селена в вакууме. [25]
Преимущества метода ионного осаждения по сравнению с термическим напылением в вакууме заключаются в следующем: имеется возможность обрабатывать ионной бомбардировкой подложку и поддерживать ее чистой до момента осаждения покрытия; хорошая адгезия покрытия может быть получена и без предварительного нагрева подложки ( за счет высокой энергии конденсирующихся атомов и интенсификации процесса диффузии и химических реакций); достигается высокая степень равномерности покрытия по толщине и увеличивается коэффициент использования паров металла. [26]
Так, если при нанесении хромового покрытия на алюминиевый сплав АЛ2 методом термического напыления необходимо защищаемую поверхность предварительно нагревать до 325 - 350 С, то после обработки детали в тлеющем разряде отличная адгезия хромового покрытия к сплаву АЛ2 достигается без предварительного нагревания. Формирование высококачественного покрытия обусловлено спецификой не только процесса ионной очистки, но и самого процесса ионного осаждения в вакууме. В результате бомбардировки поверхности положительными ионами металла и остаточных газов происходит значительная активация поверхности и создаются условия для формирования беспористого покрытия с высокой адгезией к основе. [27]
Оборудование и аппаратура для газопламен - ГОСТ 12.2.008 - 75 ной обработки металлов и термического напыления покрытий. [28]
Метод катодного распЬшения для приготовления пленок термоэлектрических материалов разработан в значительно меньшей степени, чем метод термического напыления, причем в публикациях, в основном описана технология получения пленок для приборов оптоэлектроники. [29]
Метод катодного распйления для приготовления пленок термоэлектрических материалов разработан в значительно меньшей степени, чем метод термического напыления, причем в публикациях, в основном описана технология получения пленок для приборов оптоэлектроники. В то же время этот метод может представлять интерес и для технологии пленочных термобатарей. [30]