Вакуумное напыление

Cтраница 2

Метод вакуумного напыления иллюстрируется рис. 21.7. Материал для изготовления пленки помещают в тугоплавкий тигель из платины или вольфрама. Эту систему плотно закрывают колпаком, давление под которым понижают до 10 - 3 Па, затем тигель нагревают до температуры примерно 1000 К. Материал начинает интенсивно испаряться, осаждаясь на более холодной подложке. Осажденная пленка должна быть однородной и плотно соединяться с подложкой, для чего ее поверхность должна быть хорошо очищена от посторонних примесей. Для этого подложку подогревают. [17]

Схема рабочей камеры установки вакуумного напыления. [18]

Метод вакуумного напыления заключается в следующем: испаряемый металл конденсируется на поверхности подложек, покрывая их тонким слоем. Меняя исходный материал и маски, через которые он напыляется, можно за один цикл операций изготовить большое количество проводников, сопротивлений и емкостей. [19]

Технология изготовления тонкопленочного катода. а - исходная структура для формирования конуса. б - формирование изолирующего слоя. в - формирование конуса напылением. г - удаление изолирующего слоя. 1 - металлическая пленка, 2 - диэлектрик, 3 - кремниевая подложка, 4 - ось. [20]

Методом вакуумного напыления на молибден наносится пленка алюминия. [21]

Схема установки для вакуумного напыления. [22]

Техника вакуумного напыления заключается в следующем. Напыляемый объект помещают под колокол на определенном расстоянии от испарителя и под определенным углом. В испаритель вносят навеску металла или другого вещества, например кварца, и затем под колоколом создают вакуум. После этого испаритель нагревают до определенной температуры в течение времени, необходимого для полного испарения вещества. Атомы металла разлетаются прямолинейно по всем направлениям и некоторые из них конденсируются на образце. [23]

Методы получения аморфных металлов. [24]

Метод вакуумного напыления f6 ] уже довольно давно используется для изготовления аморфных пленок простых металлов и некоторых сплавов. Суть метода состоит в следующем. [25]

Процесс вакуумного напыления титана авторы считают оптимальным из-за его простоты, незначительного повышения усредненной плотности волокон с покрытием и из-за отсутствия хрупких и низкопрочных соединений магния и титана. [26]

Холла путем вакуумного напыления на изолирующую подложку тонких слоев полупроводниковых материалов. Контактные площадки для присоединения токовых и холловских электродов также создаются напылением металла в вакууме. Такая технология позволяет получать за один цикл напыления большое число преобразователей, причем размеры активной части пластины без особых трудностей могут быть сделаны порядка десятых долей миллиметра. Толщина активного слоя может быть очень малой ( до 1 мкм), что обусловливает высокую чувствительность преобразователя. [27]

Метод вакуумного напыления пленок сегнетоэлектриков имеет несколько вариантов. Однако общие положения для всех вариантов одинаковы. [28]

Металлизация вакуумным напылением является сравнительно простым методом нанесения электропроводящей пленки на поверхность облученного полиэтилена. На структуру и физические свойства осаждаемой металлической пленки влияют материал испарителя, скорость испарения, давление в камере, температура подложки и чистота ее поверхности. Повышение скорости испарения и создание более глубокого вакуума улучшают качество металлопокрытия. [29]

Перед вакуумным напылением хрома стеклянные подложки тщательно очищаются от органических и механических загрязнений. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5