Вакуумное напыление

Cтраница 3

Перед вакуумным напылением алюминия на пластмассы часто применяют нанесение лаковых пленок. [31]

Схема установки для нанесения пленок методом катодного распыления. [32]

Наиболее легко вакуумным напылением наносятся чистые металлы и соединения, не разлагающиеся при испарении. [33]

S, Изоляция БГИ в местал пересечения со сплошным слоем и окнами. [34]

При вакуумном напылении диэлектрических и проводящих слоев широко применяется изменение угла падения молекулярного пучка на подложку. Для этого вращают подложкодержатели, чем обеспечивается высокая равномерность толщины наносимой пленки. Иногда после вытравливания окон в Диэлектрике производится электролитическое осаждение металла проводника в полученные отверстия. Осаждение ведется до тех пор, пока толщина металла в отверстиях не станет равной толщине диэлектрика. Если необходимо получить малую емкость пересечений при относительно большом сопротивлении проводников, целесообразно использовать в качестве диэлектрика двухслойную структуру окись тантала - двуокись кремния. [35]

Прн вакуумном напылении из камеры откачивают воздух, затем разогревают тигель до температуры испарения наносимого металла. Испаряющиеся атомы, не испытывая столкновения с молекулами воздуха, движутся прямолинейно, пока не достигнут поверхности детален или стенок камеры, где конденсируются, образуя покрытие. Для получения равномерного по толщине покрытия на деталях сложной конфигурации последние следует вращать. [36]

При вакуумном напылении тонких пленок происходит испарение различных материалов с последующим осаждением ( конденсацией) их паров на подложку. Процесс образования пленки складывается из процессов в объеме и поверхностных процессов. [37]

Как осуществляется вакуумное напыление пленочных элементов. Как устроена установка для катодного распыления. [38]

Главной особенностью вакуумного напыления методом конденсации ионной бомбардировкой ( КИБ) является возможность подготовки поверхности образца путем ее очистки в тлеющем разряде, а также бомбардировкой ускоренными ионами. Бомбардировка ускоренными ионами приводит к частичному распылению материала образца, внедрению ионов в поверхностный слой и создает благоприятные условия для повышения адгезионной прочности покрытия с основой. Состав осажденного покрытия и прочность его сцепления с основой определяются составом газовой среды, содержанием остаточных элементов ( СО2, О2, Н2О), уровнем вакуума и качеством подготовки поверхности. Для подготовки образцов перед напылением наиболее предпочтительна виброабразивная обработка с последующей очисткой в ультразвуковой ванне. Затем образцы следует промыть в горячей ванне и высушить в струе горячего воздуха. [39]

Схема питания электродов рабочей камеры. [40]

В установке вакуумного напыления перед нанесением покрытия подложка тщательно очищается от органических загрязнений в тлеющем разряде в разреженном газе. [41]

С помощью вакуумного напыления получают также тонкие магнитные пленки. Благодаря простому способу изготовления, большим скоростям переключения, большой плотности записи, а также высоким механическим свойствам и устойчивости к воздействию климатических факторов магнитные пленки являются весьма перспективными для применения в запоминающих устройствах цифровых вычислительных машин. [42]

Установка УВН вакуумного напыления ( рис. 86), предназначенная для нанесения токопроводящего слоя на керамические основания резисторов МЛТ, состоит из корпуса, каркас 1 которого имеет съемные боковые передние и задние щиты, иодколпачного устройства, вакуумной системы 19, гидропривода подъема колпака 10, системы охлаждения и электрооборудования. На передней панели корпуса расположена рукоятка 3 управления вакуумным затвором, на крайней левой стойке - кнопки 4 и 5 управления гидроприводом подъема и опускания колпака, а с правой стороны - пульт управления 14 вакуумной системой 19 и подколпачным устройством. [43]

Метод ( вакуумного напыления имеет следующие недостатки: 1) большие потери, напыляемого металла; 2) загрязнение покрытия остаточными газами в камере и в исходном металле; 3) трудность нанесения толстых покрытий тугоплавких металлов из-за низкой летучести и малой скорости испарения осаждаемого металла; 4) сложность нанесения равномерных по толщине покрытий на подложки с рельефной поверхностью; 5) недостаточная термическая стабильность покрытия из-за большого различия в температурах зон конденсации и испарения; 6) невозможность получения текстурированных покрытий из-за сложности регулирования режима осаждения; 7) недостаточная адгезия покрытия; 8) пористость покрытия. Вследствие этих недостатков данный метод нанесения молибденовых и вольфрамовых покрытий широко не применяется. [44]

Схема установки типа ВУ-1Б. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5