Ориентированное нарастание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если третье лезвие бреет еще чище, то зачем нужны первые два? Законы Мерфи (еще...)

Ориентированное нарастание

Cтраница 1


Ориентированное нарастание окислов на других металлах с решеткой К12 исследовано недостаточно.  [1]

Процесс ориентированного нарастания вещества на своем монокристалле называется автоэпитаксией. Превращения в твердой фазе, протекающие без изменения состава ( например, мартенситные), соответствуют автоэндотак-сии.  [2]

Для получения ориентированного нарастания поверхность должна быть активирована, например путем нагрева. Во всех случаях значения минимальных температур, необходимых для ориентированного роста, строго воспроизводились.  [3]

Значительно легче осуществить ориентированное нарастание кремния на монокристалле германия. В этом случае при температуре 900 С на плоскостях ( 111) и ( 100) Ge образуются сплошные монокристаллические слои значительной толщины. Эти слои достаточно прочные и имеют проводимость п-типа.  [4]

Хемоэпитаксия - процесс ориентированного нарастания, в результате которого образование новой кристаллической фазы - хемоэпитаксиального слоя - происходит за счет химического взаимодействия ( например, реактивной диффузии) вещества подложки с веществом, поступающим из исходной фазы. Полученный слой по химическому составу отличается как от подложки, так и от исходной фазы, но закономерно продолжает кристаллическую структуру подложки. Как правило, толщина хемоэпитаксиального слоя невелика. При образовании таких слоев может быть сформирован гетеропереход или невыпрямляющий контакт.  [5]

Автоэпитаксией называется процесс ориентированного нарастания вещества на своем монокристалле. В широком смысле этот термин эквивалентен обычному росту монокристаллов, однако если образующиеся при автоэпитаксии слои обладают иными свойствами по сравнению с кристаллом-затравкой, то понятия автоэпитаксии и продолжение роста монокристалла не являются тождественными.  [6]

Эпитаксией называется процесс ориентированного нарастания кристаллического слоя на ориентированной кристаллической пластине - подложке. Полученные в результате эпитаксиального процесса слои полупроводника, находящиеся на подложке из полупроводника или диэлектрика, называют эпитаксиалъной структурой. По числу слоев полупроводника такие структуры могут быть одно - и многослойными.  [7]

8 Ориентированная кристаллизация пентахлорфено-ла на ( 001 пеинина. Х230. [8]

Внимательный просмотр существующих примеров ориентированных нарастаний позволяет сделать вывод, что в подавляющем большинстве случаев игольчатые кристаллы осадков располагаются вдоль плотноупакованных направлений в плоскости подложки, причем линейные значения Д при этом могут изменяться в значительных пределах.  [9]

Многие органические вещества, образующие ориентированные нарастания, кристаллизуются в виде игл. В качестве примера на рис. 48 показана микрофотография пентахлорфенола на пеннине.  [10]

Первая попытка объяснить некоторые закономерности ориентированных нарастаний с точки зрения структурно-геометрических соотношений была предпринята в 1928 г. Руайе: [1], который выполнил большое количество систематических экспериментов и дал определение эпитаксии.  [11]

Баркер заметил, что отсутствие ориентированных нарастаний, как правило, наблюдается у веществ с большим различием молекулярных объемов. Далее он показал, что ориентированная кристаллизация из раствора представляет довольно сложное явление, сопровождающееся вторичными процессами.  [12]

Данная работа посвящена изучению условий ориентированного нарастания одного из наиболее интересных представителей полупроводников группы А2В - теллурида кадмия. Накопленный к настоящему времени экспериментальный материал по эпитаксии CdTe в открытых системах [1-4] еще не позволяет выявить общие закономерности процесса ориентированной кристаллизации этого соединения, а потому исследования в этом направлении представляют, на наш взгляд, существенный интерес.  [13]

Согласно данным Людеманна, процесс ориентированного нарастания галоидных солей на изоморфных кристаллах при конденсации из паровой фазы в вакууме происходит в три стадии. На первой, когда подложка только начинает покрываться конденсирующимся веществом, кристаллы осадка растут с параллельной ориентацией ( кроме NaF / KJ, см. табл. 8) и имеют нормальный параметр решетки. Изменение дифракционной картины на начальной стадии происходит внезапно. Рефлексы, соответствующие кристаллу-подложке, в некоторый момент после начала конденсации вдруг исчезают и вместо них появляются новые дифракционные максимумы, соответствующие параллельно ориентированным кристаллам осадка. Качественно вид элек-тронограммы остается прежним, но в связи с изменением параметра решетки изменяется расстояние между дифракционными максимумами.  [14]

Как правило, при химическом взаимодействии ориентированное нарастание имеет место лишь при некоторых оптимальных экспериментальных условиях. По-видимому, совершенство ориентировки связано со скоростью реакции: степень совершенства ориентировки увеличивается с уменьшением скорости роста слоя. При больших концентрациях реагента и при экзотермической реакции выделяется много тепла, скорость реакции увеличивается и в осадке наблюдаются кристаллы с произвольной ориентировкой.  [15]



Страницы:      1    2    3    4