Ориентированное нарастание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Еще один девиз Джонса: друзья приходят и уходят, а враги накапливаются. Законы Мерфи (еще...)

Ориентированное нарастание

Cтраница 3


Процесс получения пленок методом термического испарения можно разбить на следующие этапы: испарение исходного вещества; перенос его от испарителя к подложке, в процессе которого частицы испаренного вещества, соударяясь с подложкой, теряют часть своей кинетической энергии и осаждаются на подложке; адсорбция и десорбция; поверхностная диффузия адсорбированных частиц и образование зародышей; рост зародышей - островков; срастание островков в сплошную пленку; рост сплошной пленки и рекристаллизация; ориентированное нарастание.  [31]

Таким образом происходит достраивание структуры подложки. Это ориентированное нарастание, или эпитаксия, возможно лишь тогда, когда размеры атомов подложки и растущей пленки не елишком сильно отличаются.  [32]

Таким образом происходит достраивание структуры подложки. Это ориентированное нарастание, или эпитаксия, возможно лишь тогда, когда размеры атомов подложки и растущей пленки не слишком сильно отличаются.  [33]

Когда происходит ориентированное нарастание ( эпитаксия) кристалла па подложку, то сопряжение двух решеток из-за имеющегося всегда небольшого их несоответствия вызывает упругие напряжения в подложке и эпи-таксиальном слое.  [34]

Вопросы эпитаксии также имеют непосредственное отношение к затронутой проблеме. Эпитаксия - ориентированное нарастание слоев - известна давно.  [35]

При выращивании тонких кристаллографически ориентированных слоев монокристаллов на подложках применяются эпитаксиаль-ные методы. Эпитаксия - процесс ориентированного нарастания, когда образующаяся новая фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку фазы-подложки. В результате между фазами образуется переходный эпитаксиальный слой, который способствует когерентному срастанию двух решеток. Через этот слой передается основная информация о кристаллической структуре подложки в нарастающую фазу. Один из способов эпитаксиального роста - жид-кофазная эпитаксия, когда доставка компонентов к растущему на подложке слою осуществляется через жидкую фазу.  [36]

Если происходит зародышеобразование одного вещества на монокристаллической подложке какого-либо другого вещества, зародыши часто осаждаются так, что все они имеют одну и ту же ориентировку решетки, находящуюся в простом отношении к ориентировке решетки подложки. Это явление называют ориентированным нарастанием, или эпитаксией.  [37]

Термин эпитаксия ( от греческого еяь - на, Tagig - расположение в порядке) был предложен Руайе [1] в 1928 г. для описания явления ориентированного нарастания кристаллов друг на друга. При этом под ориентированным нарастанием понималось взаимное расположение двух кристаллов осадка и подложки, соответствующее строгой параллельности пары кристаллографических плоскостей и направлений в обеих решетках. В качестве синонимов для определения этого явления служат понятия.  [38]

Термин эпитаксия происходит от греческих слов eiu, что значит на и та. Он был предложен в 1928 г. Руайе для описания процесса ориентированного нарастания кристаллов друг на друге. При благоприятных условиях кристаллизации одного вещества на монокристалле другого ( в частном случае на собственном кристалле) образуются эпитак-сиальные пленки с монокристальной структурой.  [39]

В уравнении (7.47) В учитывает поляризацию осажденных атомов и дипольный момент частиц растворителя. Учет слагаемого - Вг - 6 в (7.47) означает, что при прочих равных условиях ориентированное нарастание из жидкой фазы возможно при меньших значениях Д, чем из пара. Аналогичным образом вследствие изменения величины В можно объяснить установленный экспериментально факт о влиянии растворителя на степень ориентировки.  [40]

Эпитаксиальная или пленочная технология позволяет контролировать толщину слоев и количество примесей, конфигурацию боковых границ р - / г-перехода без механической обработки. Термин эпи-таксия ( от греческих эпи - на, поверх, и таксис - расположенный в порядке) предложен для описания процесса ориентированного нарастания кристаллов. Эпитаксиальный слой - это тонкий слой материала, осажденного на монокристаллическую подложку, сохраняющий морфологию этой подложки.  [41]

Интересен вопрос, благоприятствует ли эпитаксия осаждению кристаллитов или нет. Другими словами, будет ли гетерогенное зародышеобразование происходить более легко на подложке, где возможна ориентация, или на подложке, где не происходит ориентированного нарастания. Данные работ по выращиванию пленок металлов показывают, что, видимо, неориентированные пленки образуются более легко, чем ориентированные. Это может рассматриваться как свидетельство того, что эпитаксия не требуется для зародышеобра-зования. Однако нужно также помнить, что эксперименты по осаждению металлических пленок обычно проводятся при очень больших пересыщениях, когда можно ожидать конденсации даже единичных атомов, так что эти данные могут и не иметь значения.  [42]

Очень часто многие авторы употребляют совершенно не идентичные термины срастание, нарастание, выделение, отождествляя их между собой. Необходимо ввести для более четкого изложения всего материала следующее определение этих терминов: срастание ( или ориентированное срастание) - термин, обобщающий два различных по механизму процесса: нарастание ( или ориентированное нарастание) и выделение ( или ориентированное выделение) ( Прим.  [43]

Использование процесса автоэпитаксии в полупроводниковой технике основано как раз на возможности получения ориентированных пленок с особыми свойствами, а именно - создании слоев с различными типами проводимости для изготовления диодов, триодов и других полупроводниковых устройств. Разработан ряд способов ориентированного нарастания Ge и Si на собственных монокристаллах с образованием р - - переходов, пригодных для технического использования, исследованы электрофизические свойства таких слоев.  [44]

Поскольку такие центры заряжены, считается [76], что дальнодействие осуществляется по термоэлектретному, фотоэлектретно-му и другим механизмам. Действие активных центров, расположенных на кристаллических поверхностях, имеет эпитаксиальный характер. Другими словами, наличие центров обусловливает ориентированное нарастание слоев.  [45]



Страницы:      1    2    3    4