Ориентированное нарастание

Cтраница 2

В 1933 г. Окар [18] наблюдал ориентированное нарастание арсенолита и сенармонтита при сублимации на воздухе на плоскость скола мусковита. На этих примерах было подтверждено существование эпитаксии кристаллов с молекулярной и ионной структурой. Большое количество новых случаев закономерных срастаний получено затем Нейхаузом [19 - 23] и Монье [17, 24 - 28] с сотрудниками. Нейхауз на основании полученных им экспериментальных данных пришел к выводу, что температуры конденсации, соответствующие началу ориентированной кристаллизации, связаны с твердостью подложки. Автор полагал, что сильная химическая связь частиц вещества подложки приводит к инертности поверхностного слоя. Твердость подложки была выбрана как характеристика сил связи. [16]

В табл. 22 представлены другие примеры ориентированных нарастаний металлов. Несмотря на недостаточно полное изучение, из таблицы следует, что почти во всех случаях наблюдаемые ориентировки удовлетворяют - критерию взаимной параллельности плотноупакованных рядов. [17]

В настоящем параграфе мы ограничимся кратким описанием ориентированного нарастания одного органического вещества на другое и на различные минералы. [18]

Формы сростков кристаллов циркона. Ув. 5. [19]

Для циркона характерны автоэпитаксиальные формы роста, при котором происходит ориентированное нарастание ( или срастание) одного кристалла на другом. По мере роста эти кристаллы могут образовать общую простую форму 100 и иметь разные головки дипнрамиды. [20]

Столь же общеизвестный, но более сложный пример - это ориентированное нарастание изоморфных кубических галогенидов KI, КВг, КС1 на плоскости спайности слюды при кристаллизации их из капель водного раствора. Структуры кубических ( тЗт) галогенидов и моноклинной ( 21т) слюды совершенно различны. Но плоскость спайности ( 001) слюды имеет симметрию гексагональную, близкую к плоской сетке ( 111) галогенидов. Параметр решетки вдоль ( 100) у слюды равный 5 18 А, очень близок к параметру решетки галогенидов вдоль ( 100 /: 4 99 А, у KI, 5 18 А у NHJ. [21]

Представления, развитые Дикситом, являются одной из наиболее ранних попыток объяснения ориентированного нарастания. [22]

Твердофазная эпитаксия для сталлической (. системы эвтектического типа. Недостатком этого процесса. [23]

При твердофазной эпитаксии происходит перекристаллизация фазы второго слоя, контактирующего с монокристаллической подложкой, и ее ориентированное нарастание на поверхность Подложки в результате диффузионных процессов. Диффузионные процессы в твердой фазе протекают медленно и требуют термообработки структуры. Для сохранения расположенных в подложке приборных структур применяют импульсную термическую обработку. [24]

Из опытов Слоата и Мензиса [7] следует, что при росте из паровой фазы можно получить ориентированные нарастания солей, имеющих значительное различие параметров решеток. [25]

Таким образом, различные температуры, характеризующие процесс эпитаксии, сами по себе мало поясняют процесс ориентированного нарастания, особенно в тех случаях, когда скорость испарения изменяется неконтролируемым способом или вообще не известна. Для понимания процесса важно знать не только ориентацию и ее зависимость от температуры и скорости испарения, но прежде всего абсолютную вероятность образования зародышей и форму образующихся кристаллов, а также их локальные колебания. [26]

Этот результат Лассена и Брюка некоторое время оспаривался Руайе [73], выступившим в защиту своей гипотезы, согласно которой ориентированное нарастание должно происходить при наименьшем различии параметров. [27]

Термин эпитаксия ( от греческого еяь - на, Tagig - расположение в порядке) был предложен Руайе [1] в 1928 г. для описания явления ориентированного нарастания кристаллов друг на друга. При этом под ориентированным нарастанием понималось взаимное расположение двух кристаллов осадка и подложки, соответствующее строгой параллельности пары кристаллографических плоскостей и направлений в обеих решетках. В качестве синонимов для определения этого явления служат понятия. [28]

Хотя вопрос о силах взаимодействия в этих и многих других случаях эпитаксии органических веществ продолжает обсуждаться, можно считать установленным фактом, что даже неполярные молекулы и вещества со слабыми межмолекулярными силами способны образовывать ориентированные нарастания. [29]

Обнаружено также ориентированное срастание парафинов ( слабые межмолекулярные связи) с галоидными солями, обладающими ионной решеткой, и органических веществ с полярными молекулами и неполярной серой, R последнее время обнаружено большое количество ориентированных нарастаний наиболее сложных органических веществ на минералах и минералов на органических веществах, в том числе эпитаксия аминокислот и олигопептидов. [30]

Страницы: 1 2 3 4