Ориентированное нарастание

Cтраница 4

Решетка зародыша стремится продолжить решетку материала подложки. Этот эффект получил специальное название эпитак-сия, что достаточно означает ориентированное нарастание. [46]

Руайе высказал предположение, что эпитаксия возможна лишь у органических соединений, которые имеют решетку, содержащую ионы радикала. В противоположность таким соединениям вещества с молекулярными связями не могут образовывать ориентированных нарастаний с ионными кристаллами. Фридель, комментируя работу Руайе [39], пришел к неправильному выводу, что эпитаксия возможна лишь у органических соединений с гетерополярным типом связей. Согласно Зейферту, поверхностное взаимодействие органических веществ возможно путем образования дипольных связей. [47]

Например, возможно, что если после выделения в первую очередь кристалла ароматического углеводорода в последующем будут выделяться парафины, то изменится соответствующим образем структура кристалла. В этом случае выделившиеся первичные кристаллы явятся центрами кристаллизации парафинов. Что это может быть так, показывают исследования Виллемса [7], который получил ориентированные нарастания н-октадекана, м-тетракозана и н-октакозана на кристаллических пленках антрацена и фенантрена. [48]

Несмотря на такую оценку, теория поверхности в равновесной форме дает удобную основу для обсуждения. Следует также принимать во внимание, что поверхность редко бывает чистой. Она обычно загрязнена адсорбированными на ней посторонними веществами, хотя для многих органических веществ с относительно высокой летучестью при изучении ориентированного нарастания [8] получены доказательства того, что чистота их поверхности играет менее существенную роль, чем для неорганических кристаллов. [49]

При авто - и гетероэпитаксии кристаллический переходный эпитаксиальный слой формируется в виде областей твердых растворов на основе кристаллических решеток двух срастающихся веществ. Протяженность этого слоя определяется внешними факторами и зависит от фазовых равновесий, характерных для данной системы. Для того чтобы переходный слой имел достаточно высокую степень совершенства кристаллической структуры, необходима взаимная растворимость срастающихся веществ и определенная температура процесса, при которой еще возможно ориентированное нарастание вещества. Существенную роль играют также степень концентрационного пересыщения осаждаемого вещества, совершенство подложки И чистота ее поверхности. [50]

Изменение пересыщения с температурой по длине зоны кристаллизации.| Зависимость высоты топографического дефекта пленки CdTe от скорости роста. [51]

Таким образом, видно, что эпитаксиальные пленки CdTe с достаточно высокой степенью совершенства кристаллической структуры могут быть получены при скоростях охлаждения парогазовой смеси 619 6 - 23 6 град / с в любой части зоны осаждения. При этом роль фактора в заключается в том, что он определяет величину пересыщения и характер его изменения с температурой по длине зоны кристаллизации. В экспериментах, проведенных при значениях в, отличных от оптимального, не было получено положительных результатов, хотя во всех случаях диапазон значений скоростей роста и пересыщений был достаточно широким. Очевидно, что в данном случае для осуществления процесса ориентированного нарастания необходимо, чтобы определенному интервалу значений пересыщения парогазовой фазы над подложкой AZ соответствовала также определенная область температур Тп. При этом оба эти фактора, по-видимому, создают такие условия, при которых частицы осаждаемого вещества приобретают необходимую для планомерной застройки поверхности подложки миграционную способность. [52]

Рассмотрим данные, полученные при травлении карборунда. Травление проводили в смеси КОН 4 - 2KNO3 при температуре 650 - 700 С в никелевых тиглях, продолжительность травления - 2 - 3 мин. Поверхности ( 0001) и ( 0001), ограничивающие пластинки SiC, травятся по-разному, что связано с полярностью структуры карбида кремния. Другие фигуры травления - плоскодонные ямки, соответствующие дефектам в пленке SiO2, ориентированные нарастания SiC на SiC - наблюдаются на обеих поверхностях, но одна из них ( а) обычно богаче фигурами травления. [53]

Страницы: 1 2 3 4