Эпитаксиальное наращивание

Cтраница 1

Эпитаксиальное наращивание представляет собой наращивание кристалла путем осаждения из газовой фазы слоев атомов кремния на кремниевую подложку. [1]

Последовательные стадии изготовления. [2]

Эпитаксиальное наращивание представляет собой процесс образования пленки за счет химического взаимодействия исходного полупроводника с веществами, входящими в газовую смесь, в поток которой помещается обрабатываемая пластинка. Чаще всего эпитаксиальное наращивание используют для получения тонкого слоя с тем же типом проводимости, что и проводимость исходной пластинки, но с более высоким удельным сопротивлением. Полупроводниковые приборы, у которых р-п переходы созданы в эпитаксиальном слое, отличаются улучшенными значениями ряда параметров. [3]

Эпитаксиальное наращивание осуществляется многими технологическими методами. Для наращивания кремния на кремниевую полупроводниковую подложку обычно используются газотранспортные реакции. Восстановление кремния производится из тетрахлорида кремния ( SiCU) при температуре 1200 - 1300 С. [4]

Эпитаксиальное наращивание полупроводников из паровой или газовой фазы обычно осуществляют при более низких температурах, чем из жидкой. При этом упрощается контроль процесса и обеспечивается лучшая воспроизводимость свойств. [5]

Эпитаксиальное наращивание соединений через специальные маски позволяет одновременно получать много переходов, а также твердые интегральные схемы. [6]

Эпитаксиальное наращивание пленок арсенида индия осуществляется при помощи газотранспортных реакций. В качестве транспортных реагентов чаще других применяются галогены - хлор и иод. [7]

Эффект автолегирования. [8]

При эпитаксиальном наращивании на поверхности скрытого слоя наблюдается смещение рисунка ( или искажение), как показано на рис. 4.12. Величина этого смещения зависит от скорости наращивания и температуры, однако механизм этого явления еще не выяснен в достаточной мере. [9]

Эффект сдвига рисунка при эпитаксиальном наращивании.| Скорость газофазного наращивания ( мкм / мин. [10]

При эпитаксиальном наращивании нет последовательного под-страивания атомов к поверхности кремниевой подложки, так как в этом процессе наращивание слоя происходит на мелких кристаллических дефектах, служащих в качестве зародышей. А для плоскости ( 10 0) картина иная. [11]

Схема иодидного метода эпитаксиального наращивания монокристаллических пленок германия с заданным типом проводимости и график температурного перепада. [12]

Особое значение эпитаксиальное наращивание имеет в производстве интегральных микросхем, когда необходимо получать монокристаллические пленки из полупроводникового материала с заданным типом проводимости на зародышевом кристалле, оказывающем ориентирующее влияние на рост пленки. [13]

Возможно получение монокристаллических пленок медленным эпитаксиальным наращиванием ( см. § 6 гл. [14]

Ряд трудностей встречается при эпитаксиальном наращивании слоев полупроводниковых бинарных соединений и особенно их твердых растворов. Часто после эпитаксии слой покрывают защитной пленкой оксида. [15]

Страницы: 1 2 3 4