Эпитаксиальное наращивание

Cтраница 3

Распределение примесей в транзисторных структурах без встречной диффузии ( а, со встречной диффузией ( б и с эпитаксиальным коллектором ( в. [31]

Для умет шения паразитного сопротивления толщи кристалла применяются два способа: специальное легирование методом так называемой встречной диффузии и создание слоистой структуры эпитаксиальным наращиванием. [32]

Признаками поверхности А являются малая скорость окисления, медленное травление по дефектам ( шестиугольные ямки) в КОН и СЦ, а также фигуры роста в виде пирамид при эпитаксиальном наращивании. [33]

Еще одна специфическая область приложения кристаллизационных методов - это глубокая очистка агрессивных, зачастую склонных к гидролизу жидких галогенидов элементов III-V групп и других аналогичных соединений, находящих применение при эпитаксиальном наращивании и легировании полупроводниковых пленок, широко используемых в современной радиоэлектронике. В данном случае кристаллизационная очистка оказывается предпочтительнее распространенных химических и физико-химических процессов очистки, при проведении которых не исключена возможность перехода примесей из экстрагента, комплексообразователя, ионообменника в очищаемый объект, с чем нельзя не считаться ввиду его высокой агрессивности и исключительно высоким требованиям к конечной чистоте продукта. [34]

Для более полного понимания механизма автолегирования эпитаксиальных слоев кремния представляет интерес изучение переноса примеси в процессе высокотемпературной предэпитаксиальной обработки низкоомных кремниевых пластин, а также роли пьедестала в перераспределении примеси при эпитаксиальном наращивании. [35]

Диод с / ы - п-структурой ( а, энергетическая диаграмма ( 6, распределение примесей ( в, плотности объемного заряда ( г и на мряженности электрического поля ( д. [36]

Энергетическая диаграмма, распределение примесей, плотность объемного заряда и электрического поля в p - i - n - и р-я-л-структурах показаны на рис. 3.53. Методы формирования этих структур различны: вплавление и диффузия примесей, эпитаксиальное наращивание, ионное легирование. [37]

Диод с p - i - n структурой ( а, энергетическая диаграмма ( б, распределение примесей ( в, плотности объемного заряда ( г и напряженности электрического поля ( д. [38]

Энергетическая диаграмма, распределение примесей, плотность объемного заряда и электрического поля в p - i - n - и р-л-п-структурах показаны на рис. 3.53. Методы формирования этих структур различны: вплавление и диффузия примесей, эпитаксиальное наращивание, ионное легирование. [39]

В принципе отслоение может происходить не только по границе раздела покрытие-подложка, но и по телу покрытия или подложки, а природа возникновения напряжений может быть не только диффузионной, но и связанной с различием коэффициентов термического расширения контактирующих материалов, некогерентным сопряжением решеток при эпитаксиальном наращивании, фазовыми превращениями и захватом примесных частиц в процессе роста покрытия. Поэтому ниже проанализируем, как влияют напряжения на процесс отслаивания покрытий. [40]

В процессе производства биполярных ИС для обеспечения электрической прочности коллекторного перехода и снижения сопротивления в структуре транзисторов формируется коллекторный скрытый слой, при создании которого возникает ряд трудностей. Эпитаксиальное наращивание эффективно применяется для создания этого слоя, а также межэлементной изоляции с помощью pn - перехода. [41]

Эпитаксиальное наращивание представляет собой процесс образования пленки за счет химического взаимодействия исходного полупроводника с веществами, входящими в газовую смесь, в поток которой помещается обрабатываемая пластинка. Чаще всего эпитаксиальное наращивание используют для получения тонкого слоя с тем же типом проводимости, что и проводимость исходной пластинки, но с более высоким удельным сопротивлением. Полупроводниковые приборы, у которых р-п переходы созданы в эпитаксиальном слое, отличаются улучшенными значениями ряда параметров. [42]

Совершенство структуры эпитаксиальной пленки существенно зависит от состояния поверхности кремниевой подложки. Непосредственно перед эпитаксиальным наращиванием целесообразно произвести обработку поверхности подложек водородом при t - 1200 С с целью восстановления следов окисла, а затем газовое травление на глубину 2 - 3 мкм в смеси хлористого водорода ( 1 - 2 %) в водороде для удаления следов нарушенной структуры. [43]

Их изготовляют эпитаксиальным наращиванием кремния, легированного соответствующим образом, на монокристаллическом упругом элементе. Однако возникающие благодаря этому варианты сочетаний различных материалов открывают возможности получения новых своеобразных конструкций и свойств. [44]

Еще больший выигрыш получается при использовании пластин кремния с эпитакеиальным слоем. Напомним, что эпитаксиальное наращивание означает процесс, при котором на подложке выращивается слой материала с кристаллической структурой, повторяющей структуру подложки. [45]

Страницы: 1 2 3 4