Эпитаксиальное наращивание

Cтраница 4

Транзисторная структура получалась эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы слоев п - и p - GaAs и n - A xG &i - xAs на подложку n - GaAs. [46]

Структура варикапа с малым сопротивлением базы. [47]

Чтобы получить малую величину сопротивления базы варикапа и одновременно большую величину пробивного напряжения, создают структуру, изображенную на рис. 5.32. В этом случае базовая часть варикапа состоит из двух слоев. Он может быть создан эпитаксиальным наращиванием. [48]

Метод открытой трубы с использованием в качестве источников элементарного галлия и хлорида мышьяка в настоящее время успешно применяется для получения эпитаксиальных слоев GaAs. С другой стороны, при эпитаксиальном наращивании в проточной системе вначале для кремния [3, 4], а затем и для арсенида галлия [5] было показано, что расчет скорости роста, учитывающий диффузию компонентов газовой фазы, является более строгим. [49]

Подобная ситуация наблюдается и при термическом разложении силана с использованием метода восстановления галогенидов. Следует отметить, что в последнее время эпитаксиальное наращивание проводится при низком давлении газа около 13 - 104 Па независимо от температуры. Как показано в табл. 4.2, при низком давлении газа скорость эпитаксиального наращивания уменьшается. Автолегирование и эффект смещения рисунка снижаются тоже. По этой причине метод эпитаксии при низком давлении газа используется очень широко. [50]

Формирование р-п переходов принципиально возможно двумя методами: введением примесей в полупроводниковую подложку ( диффузией или ионным внедрением) и наращиванием на подложке дополнительного полупроводникового слоя с необходимым распределением примесей. Метод наращивания материала на монокристаллической подложке называется эпитаксиальным наращиванием, если в создаваемом слое воспроизводится монокристаллическая структура, повторяющая структуру исходной подложки. Ориентированное наращивание материала на монокристалл того же вещества называется ав-тоэпитаксией. [51]

Более приемлем метод фотолитографии, который позволяет уменьшить расстояние между контактами до 1 мкм. Перспективным методом изготовления тонких пленок арсенида галлия является эпитаксиальное наращивание. [52]

Для получения слоя высокого сопротивления применяется так называемое эпитаксиальное наращивание полупроводника. Сущность этого метода состоит в том, что какое-либо соединение полупроводникового элемента, разлагаясь у поверхности пластинки из этого же элемента, образует на ней пленку, структура которой является продолжением структуры подложки. Чаще всего в качестве соединения применяются хлориды или йодиды германия и кремния, которые, разлагаясь при реакции с водородом, выделяют чистый полупроводник. [53]

Технологические процессы, в результате которых создаются локальные области в полупроводниковом материале и формируются переходы структуры и элементы схемы, являются основными. К ним относятся локальная диффузия легирующих примесей в кремний и эпитаксиальное наращивание монокристаллических слоев кремния требуемого типа, проводимости на кремниевую подложку, имеющую противоположный тип проводимости. [54]

Полупроводниковые монолитные ИС представляют собой комплекс транзисторов, диодов, резисторов и конденсаторов, сформированных в общем полупроводниковом кристалле. Для их изготовления используются такие технологические процессы, как диффузия, эпитаксиальное наращивание, металлизация путем напыления в вакууме, окисление и другие процессы, свойственные технологии изготовления полупроводниковых приборов. В результате в полупроводниковом кристалле общими технологическими методами создаются все элементы схемы. [55]

Рассматриваются методы получения эпитаксиальных слоев кремния из смеси SiCl3 - Н2 при температурах ниже 1000 С. Определено влияние влажности водорода на минимальную температуру, при которой можно производить эпитаксиальное наращивание. Для получения бездефектных эпитаксиальных слоев при пониженных температурах предложены различные способы подготовки подложек, предотвращающие окисление поверхности. [56]

Бескорпусный p - i - n диод в полосковой линии. [57]

В качестве материала для получения p - i - n структур в настоящее время используется кремний. Для создания р - и - областей применяется один из следующих методов: эпитаксиальное наращивание, вплавление алюминия или золота с легирующей примесью, диффузия примесей. Часто используется комбинация указанных методов. [58]

Схема метода локальной эпитаксии. [59]

В методе локальной эпитаксии, предложенном отечественными учеными и сейчас применяемом в изопланарном процессе, изоляцию осуществляют термически выращенным окислом. В слое окисла толщиной от 2 до 4 мкм вытравливают окна, производят локальное эпитаксиальное наращивание кремния, а затем формируют в этом слое элементы ИМС. Технологическая схема процесса показана на рис. 16 - 11, этот метод особенно перспективен для создания высокочастотных транзисторных структур. [60]

Страницы: 1 2 3 4