Эпитаксиальное наращивание

Cтраница 2

Схема хлоридного процесса эпитаксии. [16]

Важно подчеркнуть, что при эпитаксиальном наращивании кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки. С помощью эпитаксии получают тонкий активный ( рабочий) слой полупроводника на сравнительно толстой пассивной подложке. Роль подложки сводится к повышению конструктивной прочности полупроводникового элемента. [17]

Другое важное приложение данного метода - эпитаксиальное наращивание jo - GaAs на полуизолирующих пластинах этого соединения, позволяющее изготавливать туннельные диоды с малой индуктивностью. [18]

Методом создания бездефектных тонких пленок является Эпитаксиальное наращивание на монокристальную подложку. Эпитаксиальные полупроводниковые пленки могут отличаться величиной и типом проводимости от основного кристалла, но повторяют его структуру. [19]

При производстве полупроводниковых приборов широко используют эпитаксиальное наращивание - наращивание монокристаллических слоев полупроводника на поверхности монокристаллической подложки того же полупроводника, а иногда и другого по химическому составу полупроводника. [20]

Скорость наращивания поликремния и эффект одновременного введения примесей бора и фосфора. 2 -нелегированный. 2 - 1 Ы0 - 4 % В2Нв. 3 - 5 5 - 10 - 5 % В2Н6. 4 - 1 1 - 10 - 5 % В2Н6. 5 - 5 5 - 10 - 6 % В2Н6. 6 - 1 - Ю-4 РН3. 7 - расчетные значения. [21]

Известно несколько методов нанесения слоев SiC2 газофазным эпитаксиальным наращиванием. [22]

Исходя из нашего представления о механизме автолегирования при эпитаксиальном наращивании кремния на пластинах с локальными диффузионными ( скрытыми) слоями мышьяка, основной перенос примеси из скрытого слоя на участки высокоомного кремния р-типа проводимости происходит на этапе предэпитаксиальной обработки. Этот процесс приводит к образованию тонкого слоя - типа проводимости. Перенос мышьяка в процессе эпитаксиального наращивания незначителен, источником его является зараженный в процессе предэпитаксиального отжига пьедестал. [23]

Конструкция реакционных камер для газофазной эпитаксии. а - установка с высокочастотным нагревом горизонтального типа. б - установка с высокочастотным нагревом вертикального типа. е - установка с ЙК-нагре-вом. [24]

В связи с этим вводится очистка лицевой поверхности подложки перед эпитаксиальным наращиванием. [25]

Обсуждаются вопросы влияния электронных возбуждений на диффузионно-контро-лируемые поверхностные реакции: хемосорбцию, адгезию, эпитаксиальное наращивание. [26]

После образования слоя к - типа со всей поверхности подложки удаляется слой двуокиси кремния и производится эпитаксиальное наращивание кремния и-типа, который будет выполнять роль коллекторной области для всех транзисторов. [27]

При разработке интегральных схем на эпитаксиальных пленках важную роль играет пленка двуокиси кремния, которая препятствует эпитаксиальному наращиванию в определенной области температур. Таким образом можно получать селективное нанесение пленки на незащищенные участки кремния, тогда как пленка двуокиси кремния остается свободной от покрытия и неповрежденной. [28]

Зависимость вероятности Р выхода годных ИС от площади кристалла 5 и плотности дефектов в окисной пленке. [29]

В помещениях 1-го класса выполняют наиболее ответственные операции: финишную очистку и отмывку пластин, фотолитографию, эпитаксиальное наращивание, диффузию примесей, вакуумное напыление. [30]

Страницы: 1 2 3 4