Насыщение - переход
Cтраница 1
Насыщение переходов ДМ fcl, Am 0 в принципе также можно обнаружить, но большие времена релаксации практически затрудняют решение этой задачи. Следует заметить, что при насыщении перехода АЛ1 1, Am 0 не возникает ядерного выстраивания. [1]
Током насыщения р-п перехода называют не зависящую от приложенного напряжения составляющую тока, обусловленную неосновными носителями. [2]
При насыщении перехода ЭПР ар - рр сигнал ЭПР отсутствует. Инверсия или насыщение ЯМР-пе-рехода РР - - - - - Ра снимает насыщение перехода ЭПР ар - ра и индуцирует сигнал ЭПР. Величина сигнала ЭПР пропорциональна разности заселенностей уровней ар и ра. Аналогичная картина снятия насыщения ЭПР происходит при насыщении ЯМР-перехода ар - аа. [3]
Чем определяется величина тока насыщения перехода. Должен ли ток насыщения зависеть от температуры. [4]
 |
Магнитодиоды. а - с длинной базой, б - с областью большой скорости. [5] |
Под действием магнитного поля изменяется ток насыщения переходов. [6]
Первый ( двухспиновый) механизм не связан с насыщением переходов БЦ и поэтому каждый переход МЦ релаксирует через БЦ независимо от степени неравновесности других переходов МЦ. Таким образом, влияние этого механизма сводится лишь к изменению соотношений релаксационных вероятностей на разных переходах. Но, к сожалению, этот механизм слабее трехспинового в 62Я 2 раз и если последний не запрещен, то в первую очередь он оказывает влияние ( негативное) на инверсионную характеристику. [7]
Формулы ( 4.7 и 4.7 а) целесообразно преобразовать, заменив токи насыщения переходов обратными токами коллектора и эмиттера, приводимыми в справочных данных на транзисторы. [8]
Максимально возможная заселенность верхнего лазерного уровня ( 1 12 2) создается при насыщении перехода QQ2 ( 12) возбуждающим излучением. Для давления 133 Па и указанной температуры это составляет 2 1 - 1014 молекул в 1 см3, так что при насыщении перехода в начальный момент времени после включения накачки на верхнем лазерном уровне окажется около 1 05 - 1014 молекул / см3, причем тепловая заселенность нижнего лазерного уровня составляет всего около 1 3 % этого значения. [9]
При повышении температуры изменяются физические константы материала базы, а также резко возрастают токи насыщения переходов Is ( темповой ток фотодиода), / эо и / ко, что приводит к изменению режима по постоянному току особенно у фототранзистора, включенного по схеме с разомкнутой базой. Так, темновой ток фотодиода возрастает с 5 - 10 мка при 20 С до 100 - 150 мка при 70 С, а темновой ток фототранзисторов с 50 - 100 мка при 20 С до 1 000 - 1 700 мка при 70 С. [10]
Сравнивая (5.183) и (5.185), можно сказать, что хаотическое поле в большей степени сказывается на насыщении перехода, чем на уширении линии. [11]
Таким образом, с ростом интенсивности поля х населенности выравниваются ( я - - 0) и происходит насыщение перехода. [12]
 |
Зависимость относительной мощности генерации от отношения постоянного и пускового токов. [13] |
Так как непосредственная экспериментальная проверка этой зависимости в непрерывном режиме невозможна ( с ростом тока питания растет и обратный ток насыщения р-п перехода), использовался импульсный режим работы, при котором можно считать / 0бР - const. [14]
 |
Значения ширины линий и частот расщепления в нулевом поле для растворов нитроксильных радикалов.| Величины динамической поляризации протонов в растворах нитроксильных радикалов. [15] |
Страницы: 1 2 3 4