Насыщение - переход
Cтраница 3
Под рекомбинационной составляющей здесь понимается та часть тока через переход, которая вызвана наличием неосновных носителей в объеме и на поверхности полупроводника вблизи от перехода. Эта составляющая представляет собой ток насыщения перехода. [31]
Насыщение переходов ДМ fcl, Am 0 в принципе также можно обнаружить, но большие времена релаксации практически затрудняют решение этой задачи. Следует заметить, что при насыщении перехода АЛ1 1, Am 0 не возникает ядерного выстраивания. [32]
Наибольшее влияние температура оказывает на ток насыщения р-п переходов, который может увеличиваться примерно вдвое при повышении температуры на каждые Ю С. У реальных транзисторов обратный ток коллектора / ко часто заметно превышает ток насыщения за счет других составляющих ( с. [34]
Наибольшее влияние температура оказывает на ток насыщения р-п переходов транзистора, который увеличивается почти вдвое при повышении температуры на каждые 10 С. [36]
 |
Схема энергетических уровней иминоксильных радикалов в слабых магнитных полях. [37] |
Коэффициент увеличения протонной поляризации А тг / т0 зависит от механизма электронной релаксации и от насыщаемого перехода. Изучение соли Фреыи показало, что лишь насыщение переходов 1 - 6 и 4 - 5 ( см. рис. 40) приводит к значительной динамической поляризации ядер растворителя. [38]
Состояние с равными на-селенностями уровней принято называть состоянием насыщения перехода. [39]
В мощных световых полях или в сильнонелинейных средах высшие члены разложения поляризации перестают быть малыми: пЕп - 1 - ха, тогда разложение ( 1) теряет смысл, а соответствующий ряд ( 2) перестает сходиться. Такие проблемы возникают, в частности, при исследовании насыщения перехода в системе двухуровневых атомов в поле эл. [40]
Однако для записи динамических решеток в этом диапазоне можно использовать резонансное насыщение вращательно-колебательных переходов в молекулярных газах, хотя силы осцилляторов здесь значительно меньше и быстродействие также уменьшается. [41]
Эффективность работы ДИК-лазера зависит от многих параметров: способа накачки, давления и температуры рабочего газа, поляризации излучения накачки, параметров оптического резонатора, конкретный выбор которых определяется молекулярными характеристиками активной среды. Важнейшую роль играют скорости вращательной и колебательной релаксаций, параметры насыщения переходов с поглощением и излучением. При недостаточно быстрой колебательной релаксации ( эффект узкого горла) инверсия заселенностей вращательных уровней в возбужденном колебательном состоянии будет существовать лишь в течение короткого промежутка времени после начала накачки, так как в результате вращательной релаксации, скорости которой выше скоростей колебательной релаксации, среди вращательных уровней быстро установится больцмановское распределение заселенностей. [42]
Переписать выражение (3.38) для случая, когда уровни являются вырожденными. Если уровни вырождены, то большая или меньшая мощность требуется для насыщения перехода. [43]
При насыщении перехода ЭПР ар - рр сигнал ЭПР отсутствует. Инверсия или насыщение ЯМР-пе-рехода РР - - - - - Ра снимает насыщение перехода ЭПР ар - ра и индуцирует сигнал ЭПР. Величина сигнала ЭПР пропорциональна разности заселенностей уровней ар и ра. Аналогичная картина снятия насыщения ЭПР происходит при насыщении ЯМР-перехода ар - аа. [44]
Обратный ток / ко можно подсчитать теоретически. Величина электронной составляющей тока / ко мало отличается от электронной составляющей тока насыщения одиночного перехода, а дырочная составляющая тока / ко в транзисторе значительно меньше. [45]
Страницы: 1 2 3 4