Насыщение - переход
Cтраница 2
В табл. 20 даны частоты электронных переходов и коэффициенты увеличения протонной поляризации А в земном магнитном поле для тех же растворов при насыщении переходов радиочастотным полем, амплитуда которого равна ширине линии перехода. [16]
Таким образом, электродная характеристика полупроводника - типа фактически представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики гетерофазного перехода, причем участок II соответствует току насыщения перехода, а III - предпробойный. [17]
В этой работе было установлено, что пиковые плотности мощности излучения около 30 МВт / см2 почти на два порядка выше величины, необходимой для насыщения перехода. Эффективное время экспозиции для этих фотографий равно 1 - 10 икс. Для получения таких же плотностей почернения фотоэмульсии с обычными источниками возбуждения требуется экспозиция 1 - 10 с. Хотя эффекты насыщения ограничивают использований энергии лазера, а результирующая флуоресценция недостаточна для экспозиции фотоэмульсии при возбуждении единичным импульсом, тем не менее имеющиеся в настоящее время высокочувствительные впдиконовые трубки ( способные к регистрации почти единичных фотонов) позволяют проводить анализ с единичным импульсом лазера. Уменьшение времени анализа очень важно для аналитических лабораторий, которые должны обрабатывать тысячи проб ежедневно. [18]
Вообще говоря, нас интересуют эффекты, которые приводят в первую очередь к изменению заселенностей уровней а и Ь, как, например, при насыщении перехода а) - 6), но которые не изменяют в первом приближении значение пс. [19]
Если в течение времени Т, которое существенно больше времени продольной релаксации системы, на систему воздействует РЧ импульс на частоте Шя с мощностью, достаточной для насыщения переходов на частоте Шц ( уд В22 т Тг 1), то это приведет к тому, что в стационарном состоянии Mz, dMz / dt и dMz / dt в (2.20) и (2.21) обратятся в нуль. [20]
 |
Прямое включение р-п перехода. [21] |
Поскольку при напряжении батареи, равном нулю, ток через р-п переход равен нулю, то / дифо / др / в; / - часто называют током насыщения р-п перехода. [22]
Такое изменение населенностей уровней означает изменение показателя усиления х, который сначала ( до самовозбуждения) имеет максимальную величину, соответствующую исходной разности населенностей верхнего и нижнего уровней, а потом по мере насыщения перехода уменьшается. [23]
Для систем частиц со спинами, большими г / 2, или систем, характеризующихся многими уровнями, безразлично: эквидистантными или неэквидистантными, полученные уравнения часто, но не всегда оказываются применимыми, а насыщение переходов между любой парой уровней в принципе поддается экспериментальному наблюдению. Однако в этом случае величина ( 2Ti) - 1 должна быть заменена функцией вероятностей переходов между различными парами уровней. Последняя в общем случае не может быть выражена через времена релаксации. [24]
Температурная зависимость напряжения на тиристорах в открытом состоянии мало чем отличается от соответствующей зависимости напряжения на силовых диодах. Плотности токов насыщения переходов также экспоненциально увеличиваются при этом с ростом температуры. Благодаря этому при неизменном значении плотности тока в открытом состоянии падения напряжения на переходах практически линейно уменьшаются с ростом температуры. [25]
 |
Получение инверсной населенности в трехуровневой системе.| Расположение трех уровней, при котором инверсия населенностей не достигается. [26] |
Система становится прозрачной для частоты vi2, так как интенсивности индуцированного излучения и поглощения равны. Такое состояние называют насыщением перехода. [27]
 |
Схема устройства квантового генератора на пучке молекул аммиака. [28] |
Для получения инверсной населенности системы в квантовой электронике используется ряд методов. Этот процесс будет протекать до насыщения перехода 1 - 3, когда число частиц на уровнях Е и Е3 окажется одинаковым. [29]
Рост мощности генерации ОКТ ( см. рис. 12.6, д) соответствует увеличению глубины провала и высоты холма. При большой мощности начинает проявляться насыщение перехода, при котором населенности верхнего и нижнего уровней стремятся выровняться. [30]
Страницы: 1 2 3 4