Насыщение - переход
Cтраница 4
 |
Упрощенная схема переходов таллия, используемых для измерений. [46] |
Этот метод требует калибровки электрооптической установки, а также знания спектральной плотности падающего излучения источника возбуждения при интересующих длинах волн. Если мы используем лазер, мощность которого при обеих длинах волн достаточна для насыщения переходов, то населенности обоих уровней, связанных с излучением лазера, будут соответствовать отношению их вырождений, и не требуется никаких знаний мощности источника. [47]
При повышенных температурах сопротивление прибора в состоянии отключено заметно уменьшается. Такое возрастание является заметным уже при температуре около 100 С, когда увеличение тока насыщения изолированного перехода Nв - Рв еще неизмеримо мало - Величина емкости для прибора в области / играет важную роль. Экспериментально полученная зависимость емкости от напряжения соответствует данным теории, указывающей на снижение емкости с возрастанием напряжения смещения при любой полярности последнего. [48]
Обратный ток насыщения очень сильно зависит от температуры и удельного сопротивления материала, на основе которого изготовлен переход. Так как величина ni в кремнии значительно меньше, чем в германии, то ток насыщения перехода, изготовленного на основе кремния, теоретически на 5 - 6 порядков меньше, чем ток насыщения германиевого перехода. [49]
Порог для УСИ определяется как условие, когда УСИ становится преобладающим механизмом исчезновения имеющейся инверсии населенностей. Таким образом, необходимо потребовать, чтобы величина Р / А была сравнима с интенсивностью насыщения ISO перехода на центральной частоте. [50]
Максимально возможная заселенность верхнего лазерного уровня ( 1 12 2) создается при насыщении перехода QQ2 ( 12) возбуждающим излучением. Для давления 133 Па и указанной температуры это составляет 2 1 - 1014 молекул в 1 см3, так что при насыщении перехода в начальный момент времени после включения накачки на верхнем лазерном уровне окажется около 1 05 - 1014 молекул / см3, причем тепловая заселенность нижнего лазерного уровня составляет всего около 1 3 % этого значения. [51]
Нами предложен и экспериментально опробован новый вариант сканистора, работающего на эффекте фотопроводимости. В отличие от сканистора, работающего на фотодиодном эффекте, где изменение вольтамперной характеристики вблизи нулевого значения напряжения происходит вследствие увеличения токов насыщения р-п переходов, в сканисторе, работающем на эффекте фотопроводимости, это изменение происходит за счет уменьшения сопротивления базового слоя, е котором осуществляется примесное поглощение света. [52]
Интенсивность линий в спектрах ЯМР может использоваться не только для расшифровки спектров и структуры молекул, но, как очевидно, и для количественного анализа. Метод спектроскопии ЯМР применяется в этих целях как в статических условиях ( например, ЯМР 19F и на других ядрах) при соответствующей калибровке и принятии мер предосторожности для устранения ошибок из-за явлений насыщения переходов, так и в динамических условиях, о чем уже говорилось. [53]
Обратный ток насыщения очень сильно зависит от температуры и удельного сопротивления материала, на основе которого изготовлен переход. Так как величина ni в кремнии значительно меньше, чем в германии, то ток насыщения перехода, изготовленного на основе кремния, теоретически на 5 - 6 порядков меньше, чем ток насыщения германиевого перехода. [54]
Однако на практике лазерное излучение имеет как пространственный, так и временной контур с чрезвычайно большими градиентами. Это приводит к тому, что эффекты насыщения происходят в различное время и в различных точках объема с возбужденными атомами. Насыщение перехода первоначально будет иметь место вдоль оси лазерного луча, где плотность мощности самая большая, и затем она начнет распространяться в радиальном направлении по мере увеличения мощности. Поэтому следует ожидать различных результатов, когда интегрированные по времени измерения сравниваются с измерениями по пику разрешенного по времени сиг-нала флуоресценции. К тому же теория была рассмотрена для идеализированной геометрии возбуждения и наблюдения сигналов флуоресценции. Почти невозможно исключить полностью и эффекты префильтрации и последующей фильтрации в практических измерениях, когда концентрация анализируемого вещества становится значительной. [55]
Страницы: 1 2 3 4