Насыщение - ток
Cтраница 1
 |
Выходные характеристики полевого транзистора с р-л-пере-ходом. [1] |
Насыщение тока происходит при Vc, близких к значению V30, когда относительное изменение сечения канала велико. [2]
 |
Схема неуравновешенного моста постоянного тока. [3] |
Явление насыщения тока в электронных лампах объясняется ограниченной эмиссионной способностью катода. При насыщении ток мало зависит от приложенного ( анодного) напряжения. [4]
 |
Принципиальная схема стабилиза - тора тока. [5] |
Ядин на участке насыщения тока. В ряде случаев величина VH зависит от положения рабочей точки на выходной характеристике, поэтому в общем случае качество стабилизации зависит от выбора рабочей точки. [6]
Какие физические процессы определяют насыщение тока в канале. [7]
 |
Выходные характеристики МДП-транзистора со встроенным каналом п-типа. [8] |
С, ростом иис происходит насыщение тока / с из-за уменьшения сечения канала у стока. [9]
Если в области сильных полей наблюдается насыщение тока, то при дальнейшем увеличении поля ток может резко возрасти, начиная с некоторого поля ЕКР. [10]
В реальном случае действуют оба механизма насыщения тока. Максимально допустимые значения напряжения ограничиваются значением напряжения пробоя р - - перехода. [11]
В области еще более сильных полей наблюдается насыщение тока. [12]
В точке 3 транзистор оказывается в состоянии насыщения коллешторного тока. [13]
Батарея BI имеет такое напряжение, чтобы не допустить насыщения тока при используемых интенсивностях света ( обычно это 100 в); она соединена последовательно с двумя выводами фотоэлемента и гальванометром G. Параллельная цепь, состоящая из сопротивлений RI и Rz и батареи В ( 1 5 в), предназначена для установки нуля и компенсации темнового тока; иногда эту цепь не обязательно подсоединять. [14]
Таким образом, входная статическая характеристика будет иметь участок насыщения тока затвора, если полевой транзистор сделан из материала с малой шириной запрещенной зоны. В этом случае на обратные токи через p - n - переход ( затвор) практически не будут влиять процессы генерации носителей в области объемного заряда. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5