Насыщение - ток
Cтраница 2
Ионизационные камеры конструируют для работы в конце первой области и области насыщения тока. В области пропорциональности применяют пропорциональные счетчики, а в области Гейгера - счетчики Гейгера-Мюллера. [16]
В качестве генератора шумов часто применяют калиброванный шумовой диод, работающий в режиме насыщения тока эмиссии, по величине которого определяют уровень вводимых шумов. Когда шум не является белым, различают коэффициент шума на данной частоте F ( /), называемый также узкополосным коэффициентом шума, и усредненный коэффициент шума. [17]
 |
Конструкция тиристора [ IMAGE ] Вольт-амперная ха. [18] |
Соответственно и в р-п-р-л - структуре при больших токах эмиттеров составляющие транзисторы работают в режиме насыщения тока коллектора. [19]
Общая картина, которая создалась у нас в процессе исследования кварца, дает основание ожидать эффект насыщения тока. За счет теплового движения в единицу времени образуется некоторое количество ионов. [20]
Было установлено, хотя это и не вполне очевидно из рис. 2, что одно и то же насыщение тока достигается для всех исследованных межэлектродных расстояний, за исключением того случая, когда температура пламени была значительно снижена из-за близости верхнего электрода. Это подтверждает гипотезу, что в данных условиях в пламени сосредоточиваются все носители зарядов. [21]
Это справедливо и в тех случаях, когда имеются очевидные отклонения от закона Ома, например при явлении насыщения тока. Даже тогда для соответствующего короткого интервала времени закон Ома сохраняет свою справедливость, что будет показано ниже ( см. стр. [22]
 |
Статические характеристики серийного МОП-транзистора фирмы NEC. 2SJ11A. Va - напряжение затвора, Vb0, Pt - потребляемая мощность. [23] |
В режиме, когда длина канала больше величины перемещения точки отсечки к истоку, увеличение Vd не приводит к изменению тока стока, что соответствует области насыщения тока на характеристике транзистора. У реальных транзисторов полного режима насыщения не существует: в области насыщения ток стока все-таки немного увеличивается с ростом напряжения стока. Транзистор при этом имеет некоторую конечную величину проводимости стока. [24]
В рабочем диапазоне обратных напряжений при освещении фотодиода обратные токи практически не зависят от приложенного напряжения, хотя обратная ветвь ВАХ фотодиода в затемненном состоянии может не иметь участка насыщения тока. [26]
При одновременном приложении напряжений затвора и стока насыщение тока стока наступает при различных напряжениях на стоке: чем больше запирающее напряжение, теы меньше напряжение на стоке, соответствующее насыщению тока / с. Па семействе полных выходных характеристик, показанных на рис. 2.23, д, можно выделить три области: линейную ( крутую), насыщения ( пи тую) и пробоя, в которой ток / с резко возрастает при небольших увеличениях напряжения U си. [27]
В рабочем диапазоне обратных напряжений при освещении фотодиода обратные токи практически не зависят от приложенного напряжения, хотя обратная ветвь вольт-амперной характеристики фотодиода в затемненном состоянии может не иметь участка насыщения тока. [29]
Поэтому общее решение для изолирующей пленки, полученное при помощи как диодной, так и диффузионной теории, описывает более слабо выраженное выпрямляющее действие; кроме того, теория не приводит к насыщению тока в запирающем направлении. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5