Насыщение - ток
Cтраница 3
В этом случае обогащенная, область будет шире у истока, чем у стока. Насыщение тока происходит вследствие запирания канала только напряжением Uvc. [31]
 |
Входные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с обшей базой ( а и по схеме с общим эмиттером ( б. [32] |
Внходные характеристики транзистора в схеме с общей базой представлены на рис. 6.12, а и при / э 0 соответствуют характеристике диода, включенного в обратном направлении. Насыщение тока коллектора происходит уже при малых значениях UK. Весьма малый наклон характеристик при / э0 объясняется слабым влиянием напряжения коллектора на величину тока, так как инжектированные носители распространяются в базе, в основном, за счет диффузии. [33]
 |
Распределение электрического поля в разрядном промежутке в отсутствие ( пунктир и при наличии объемного заряда. [34] |
Как видно из этих уравнений, при больших полях плотности токов заряженных частиц изменяются в пространстве между электродами линейно, а полный электрический ток, называемый током насыщения, остается постоянным и не зависит от напряженности поля. Физически насыщение тока означает, что все родившиеся под действием внешнего ионизатора электроны и ионы достигают электродов и других путей их гибели нет. [35]
 |
Шумовой ток насыщенного диода при пренебрежимо малом угле пролета. нас-ток насыщения. [36] |
Вследствие конечной величины элементарного заряда любой электронный лоток IB вакууме образуется большим количеством импульсов тока. В режиме насыщения тока тер-мо - или фотокатода, когда отсутствуют пространственные заряды, выход каждого отдельного электрона и переход его к а. [37]
Когда ток эмиттера равен нулю, ток коллектора очень мал. При этих условиях насыщение тока коллектора отсутствует, а сопротивление перехода велико. При обратном смещении порядка 50 в сопротивление коллекторного перехода достигает 50 Мот. Как видно из фиг. Как видно из фиг. [38]
 |
Распределение неравновесной концентрации в базе транзистора при насыщении. [39] |
Дальнейшее увеличение тока эмиттера не приводит к увеличению тока коллектора. Триод находится в режиме насыщения тока коллектора. С ростом тока эмиттера выше значения / Э1 будет возрастать только ток базы, так как при больших коллекторных токах напряжение на коллекторном переходе уменьшается до такой степени, что коллекторный переход отпирается и начинает инжектировать дырки в область базы. Поскольку коллекторный переход превращается из приемника дырок в источник дырок, то распределение дырок в области базы уже не будет таким, как это было представлено на рис. VI.9. Концентрацию дырок у коллектора уже нельзя будет полагать равной нулю. [40]
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора по переменному току.| Семейство выходных вольт-амперных характеристик полевого транзистора с управляющим р-я-пе-реходом. [41] |
Пологий участок ВГ характеристики носит название участка насыщения. Напряжение, при котором наступает насыщение тока в канале, называется напряжением насыщения. [42]
 |
Выпрямление переменного напряжения ( объяснение в тексте. [43] |
Наиболее распространены оксидные катоды, покрытые слоем бария, стронция толщиной в сотые доли миллиметра. У диодов с такими катодами насыщения тока не происходит, так как оксидные катоды выделяют огромное количество электронов, которые рассосать практически невозможно. [44]
 |
Понижение потенциального барьера под действием электрического поля. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5