Cтраница 4
Е-5 в / см происходит резкое скачкообразное возрастание плотности тока, вызванное ударной ионизацией атомов примеси. Однако при дальнейшем повышении поля наступает насыщение тока. Явление ударной ионизации может происходить в результате действия внутренних полей, обусловленных локальными неоднородностями кристалла или полем p - n - перехода. Ударная ионизация проявляется при тем меньших полях, чем меньше температура, меньше энергия активации и больше подвижность. [46]
Зависимость дрейфовой скорости электронов от напря-женностй электрического поля в кремнии ( а и теллуриде кадмия ( б при разных температурах, К. [47] |
При Е - 5 В / см происходит резкое скачкообразное возрастание плотности тока, вызванное ударной ионизацией атомов примеси. Однако при дальнейшем повышении поля наступает насыщение тока. Явление ударной ионизации может происходить в результате действия внутренних полей, обусловленных локальными неоднородностями кристалла или полем p - n - перехода. Ударная ионизация проявляется при тем меньших полях, чем меньше температура, меньше энергия активации и больше подвижность. [48]
Семейство вольт-амперных характеристик стока, рассмотренных выше ( рис. 1 - 27), очень похоже на семейство вольт-амперных характеристик вакуумного пентода и имеет две области. Одна из них, в которой наблюдается насыщение тока, носит название пентодной области, в ней происходит линейное усиление малых сигналов; другая - области омического сопротивления. Пентодная область простирается от напряжения отсечки до напряжения пробоя сток - исток; область омического сопротивления - от нуля до напряжения отсечки. Близкая аналогия вольт-амперных характеристик полевых транзисторов и ламп позволяет заключить, что основные схемы с полевыми транзисторами с точки зрения их анализа и расчета должны мало чем отличаться от анализа и расчета обычных ламповых схем. [49]
При этих концентрациях основная масса частиц контактирует с внутренней поверхностью электризатора и токосъемным электродом и суммарный заряд пропорционален концентрации частиц. Дальнейшее увеличение концентрации пыли приводит к - насыщению тока в цепи токосъемного электрода. [50]
Ом - см. Постоянная времени этого процесса составляет менее 1 мс. При приложении к этим пленкам сильного электрического поля наблюдается насыщение тока. [51]
Зачастую характеристики электронных приборов ( транзисторов, электровакуумных ламп) в рабочей области входных сигналов не могут быть аппроксимированы только двумя отрезками прямых. В частности, почти все динамические характеристики имеют участок насыщения тока ( см. рис. 8.2) и при большой амплитуде колебаний на входе представление характеристики в виде двух отрезков прямых линий не может отразить всех особенностей протекания тока. [52]
Зависимость скорости носителей от напряженности электрического поля. [53] |
На начальном участке соблюдается закон Ома, поскольку ц const и, следовательно, v - E. На последующих двух участках этот закон все больше нарушается, вплоть до насыщения тока. [54]
Зависимость скоро-сти носителей от напряженности электрического поля. [55] |
На начальном участке соблюдается закон Ома, поскольку [ г const и, следовательно, v - E. На последующих двух участках этот закон все больше нарушается, вплоть до насыщения тока. [56]
Это объясняется тем, что при нормальном включении используется не вся площадь коллектора и насыщение тока коллектора с увеличением напряжения на эмиттере не носит ярко выраженного характера. [57]
Зависимость фототока в антра - Каллмен и Поуп вычислили. [58] |
Этот метод не совсем надежен, поскольку не ясно, чем ограничен ток. Возможно, что он ограничен диффузией или разрядкой ионов на антраценовом электроде, тем более что насыщение тока в антрацене при таких полях раньше никогда не наблюдалось. И все же метод очень перспективен, так как дает возможность очень легко изучать поверхностные явления в веществах, которые нельзя исследовать в газовой фазе. [59]
Облучение метана электронами с энергией 2 МэВ. [60] |