Диэлектрическое насыщение

Cтраница 3

Эффективные диэлектрические проницаемости. [31]

Более низкие диэлектрические проницаемости цвиттер-ионных и ионных мицелл в сравнении с диэлектрической Проницаемостью октилглюкозида дают веский ар - гумент в пользу заметного вклада эффекта диэлектрического насыщения. В цвитгер-ионной системе следует, вероятно, различать среднюю плоскость положительных зарядов, включенных в цепь, и среднюю плоскость отрицательных зарядов на концах головок. [32]

Хорошее соответствие теории с экспериментом наблюдается у Глюкауфа [51], также рассмотревшего связь между свободной энергией гидратации ионов и их зарядом и радиусом с учетом эффекта диэлектрического насыщения. [33]

Адсорбционные изотермы для границ НС1 - ртуть и НС1 - воздух. [34]

Автором было проведено сравнение экспериментальных данных, относящихся к границе воздух - раствор, с результатами, полученными на основе моделей гексагональной решетки и вырезанного диска, без учета эффектов диэлектрического насыщения и электрострикции в плотном слое. [35]

Однако вывод о неизменности формы потенциальной кривой при введении в растворитель заряженной частицы или при изменении ее заряда в ходе электродной реакции оказывается справедливым лишь в первом приближении, если можно пренебречь эффектом диэлектрического насыщения. [36]

Именно указывается, что диэлектрическая проницаемость воды, находящейся в непосредственной близости к иону ( гидратная оболочка), будет уменьшаться тем сильнее, чем больше заряд иона и меньше его размеры - вплоть до диэлектрического насыщения; соответственно будет возрастать напряженность электрического поля в окрестности иона. [37]

Оценивая его конкретно для додецилсульфат-иона, получаем при п 56 и е 80 Е 2 6 - 108 В / м, а это значит, что в действительности е 80: у поверхности мицеллы алкилсульфатов имеет место диэлектрическое насыщение. [38]

Во внешнем электрическом поле значение Р увеличивается с напряженностью ( кривая 1 на рис. 56): на участке О А - за счет роста доменов, на участке АВ - за счет поворота вектора Р; участок ВС характеризует диэлектрическое насыщение. [39]

По мнению Амиса [5], данные по реакции электронного обмена можно объяснить, предполагая, что перенос электрона между реагентами осуществляется мостиковым механизмом и что здесь происходит избирательная сольватация активированного комплекса компонентой растворителя с более высокими диэлектрическими свойствами в условиях полного диэлектрического насыщения. Эта теория более подробно будет рассмотрена позднее. [40]

Зависимость безразмерного потенциала в двойном. [41]

Кривые 3 - 8 характеризуют влияние различных факторов на величину С ( х): 3 - положительного полостного эффекта; 4 - поляризации ионов и зависимости е от концентрации электролита; 5 - собственной ионной атмосферы противоионов; 6 - диэлектрического насыщения; 7 - объема ионов; S - отрицательного полостного эффекта. [42]

Кривые емкости для нескольких растворов CsCl и 5гС12 в формамиде были опубликованы Минцом, Ястрзебской и Брзо-стовской [46] в 1961 г. Широкий горб емкости, наблюдаемый на катодной ветви кривой ( рис. 11), был предположительно приписан изменению емкости диффузного слоя и диэлектрическому насыщению во внутреннем слое. Однако последующие исследования [8, 16, 41] показали, что горб в формамиде целиком определяется свойством внутреннего слоя. Было высказано предположение [16], что этот горб, как и в водных растворах, обусловлен переориентацией диполей растворителя. Большая часть данных, по-видимому, подтверждает это предположение. [43]

Следует отметить, что, вообще говоря, уравнение (4.109) справедливо для систем, в которых диэлектрическая проницаемость изменяется при изменении макроскопического состава растворителя; однако в настоящей теории предполагается, что D - диэлектрическая проницаемость компоненты растворителя с наиболее высокой диэлектрической проницаемостью при условии полного диэлектрического насыщения. Поэтому D не зависит от макроскопического состава растворителя. [44]

Следует помнить о некоторых эффектах, связанных с тем, что вблизи электрода реакция диссоциации и обратная реакция рекомбинации происходят ие в гомогенной среде Эти эффекты, обусловленные негомогенностью нз-за наличия двойного слоя, могут заключаться в изменении концентрации ионов в двойном слое по сравнению с концентрацией в объеме раствора, в увеличении скорости диссоциации пот; действием электрическое поля, в изменении скорости и положения равновесия реакций в ре зультате диэлектрического насыщения среды, а также в ускорении или замедлении массопереноса ионов под действием поля. [45]

Страницы: 1 2 3 4