Несовершенство - кристалл
Cтраница 2
Лесмотря на то, что дырки менее чувствительны к несовершенствам кристалла антрацена, однако можно подобрать примеси, являющиеся ловушками для дырок. В работе [55] было показано, что такими ловушками могут быть молекулы нафтацена, введенные в определенной концентрации в монокристалл антрацена. [16]
 |
Атомы примеси В в кристалле, состоящем из атомов А. а - примесь замещения. б - примесь внедрения. [17] |
С проникновением в тайны строения реального кристалла становится очевидным, что несовершенство кристаллов так или иначе связано с примесями. Примесные атомы влияют на характер и скорость роста кристалла. Одни, даже ничтожно малые примеси, могут резко замедлить рост кристалла, другие - ускорить. [18]
Не было рассмотрено лишь влияние неоднородности фокусного пятна рентгеновской трубки и несовершенства отражающего кристалла. Влияние этих факторов трудно поддается количественному учету. В противоположность тому, что наблюдается при проведении анализа посредством спектрографов с плоским кристаллом, при работе с фокусирующими спектрографами с изогнутым кристаллом и широкофокусными рентгеновскими трубками их роль относительно невелика. [19]
В реальных веществах разрушение всегда осуществляется за счет каких-либо неоднородностей или несовершенств кристалла. Есть два полярных случая такого поведения: на элементах структуры, существовавших до начала деформации; вследствие создания новых структурных разновидностей несовершенств. [20]
Остаточные дырки или вакантные места в идеальной кристаллической структуре могут явиться причиной несовершенства кристаллов. [21]
Ряд данных позволяет полагать, что скорость роста прогрессивно увеличивается с увеличением степени несовершенства кристалла. [22]
Отклонение ВАХ, построенной в полулогарифмическом масштабе, от прямой при малых токах вызывается несовершенством кристалла полупроводника в области барьера и дефектами его поверхности. Токи утечки, превышающие 2 - 10 - 9 А, свидетельствуют о неудовлетворительной технологии и приводят к росту шумов диода. [23]
Таким образом, мы приходим к выводу, что понятие внутренней границы раздела - как элементарного несовершенства кристалла выходит за рамки представлений теории дислокаций, включая и теорию дислокаций Сомилианы, и требует обобщений понятия дефект. [24]
Кроме того, довольно часто на основании гониометрических измерений не удается определить симметрию до конца вследствие несовершенства кристалла. Часто встречающимся примером могут служить игольчатые кристаллы, настолько тонкие, что головки их не могут быть измерены. Поэтому установление точечной группы симметрии в тех пределах, в которых это возможно ( см. § 2, гл. XI третьей части, является одной из задач структурного анализа. [25]
Наблюдение поверхности кристалла при небольшом увеличении или даже невооруженным глазом часто выявляет особенности структуры, обусловленные несовершенствами кристалла. Так, наличие входящих углов а поверхности кристалла свидетельствует о двойниковании. [26]
Рентгенограммы поучительны в том отношении, что они свидетельствуют о достаточном совершенстве кристаллов алюминия и о несовершенстве кристаллов окиси германия. Что во втором случае не тепловые колебания вызывают ослабление линий при больших углах рассеяния, а наличие дефектов в решетке и возникновение напряжений III рода следует из того, что окись GeO2, получаемая путем прокаливания германия на воздухе, дает сильные отражения и при больших углах. Поэтому причину указанных искажений решетки следует видеть в том, что окись содержала некоторое количество воды в той или иной форме. [27]
Уравнение (3.96) обычно применяют для описания твердофазных процессов, упуская из виду, что N является функцией температуры и степени несовершенства кристалла. Используя построение типа Ig v ( D) f ( l / T), зачастую получают прямолинейную зависимость. Можно утверждать, что это означает наличие у функции f ( U) резко выраженного максимума. Тогда энергия активации процесса определяется величиной Ua, соответствующей максимуму, а число мест с избыточной энергией - предэкспонен-циальным множителем. [28]
Наиболее эффективным способом устранения влияния других источников погрешностей анализа - напряжения на трубке, эффектов селективного поглощения или возбуждения спектра, влияния несовершенства кристалла, зависимости фотографического действия от длины волны и др. - является выбор в качестве линий сравнения таких, которые расположены по возможности ближе к аналитическим линиям анализируемого элемента. Поэтому обычно стремятся при проведении анализа в качестве элемента сравнения выбирать ближайшие к исследуемому элементы таблицы Менделеева так, чтобы длины волн аналитической пары линий отличались друг от друга не более чем на 2 - 3 десятка X. Желательно также, чтобы обе сравниваемые линии каждого из элементов принадлежали бы к одной и той же серии. [29]
Термомеханическая обработка ( ТАЮ) - сочетание операций пластического деформирования, нагрева и охлаждения, в результате которых формирование окончательной структуры сплава и его свойств происходит в условиях повышенного числа несовершенств кристаллов, - обеспечивает резкое возрастание характеристик пластичности стали - относительного удлинения и сужения, а также пределов прочности и текучести. [30]
Страницы: 1 2 3 4