Несовершенство - кристалл
Cтраница 1
Объемные несовершенства кристаллов могут быть вызваны микроскопическими порами, трещинами, инородными включениями. [1]
Несовершенствами кристаллов вызываются процессы диффузии в твердых телах. [2]
 |
Краевая дислокация, возникающая в результате сдвига. [3] |
Область несовершенства кристалла вокруг края экстраплоскости и называется краевой дислокацией. В плоскости чертежа искажения в кристаллической решетке распространяются на небольшие расстояния - до десяти атомных диаметров. [4]
Действительная природа несовершенства кристаллов была выяснена много позднее. [5]
Для исследования несовершенства кристаллов и изучения поверхностных явлений применяется дифракция электронов. В общем случае, электроны рассеиваются на атоме значительно сильнее, чем рентгеновские лучи и нейтроны. Однако проникающая способность таких электронов мала, так что их дифракция имеет место лишь п тонком поверхностном слое вещества. Электроны, обладающие такой энергией, называют быстрыми. [6]
 |
Искажение кристаллической решетки примесными атомами. [7] |
Наличие дислокаций и несовершенство кристаллов, с одной стороны, оказывают ослабляющий эффект на металл, а при определенных условиях дефекты могут упрочнять металл. Упрочняющий эффект обусловлен взаимодействием дислокаций друг с другом и с различными несовершенствами кристаллического строения. Сущность процесса упрочнения состоит в торможении дислокаций, создании препятствий для их перемещения. [8]
Молекулярно-кинетическая теория [108, 109] игнорирует несовершенства кристалла и рассматривает рост его как последовательное повторение отдельных стадий присоединения к кристаллу одиночных ионов, атомов или молекул. Иными словами, рост кристаллов представлялся как последовательное образование слоев, состоящих из рядов частиц. [9]
В термодинамическом плане дислокация должна рассматриваться как несовершенство кристалла, вызывающее отклонение состояния кристалла от равновесия. [10]
Эта предельная ситуация может нарушиться за счет несовершенств кристаллов. Вычисления Гудмана [166] показывают, что единичный дефект может возобновить сильные осцилляции основных пучков и значительно увеличить слабые пучки. [11]
 |
Схема электронно-дифракционного изображения несовершенств. [12] |
На рис. 2.29 показана схема электронно-дифракционного изображения несовершенств кристаллов. [13]
 |
Блок-схема сверхрегенеративного спектрометра ЯКР. [14] |
Поскольку реальная ширина линии ЯКР определяется в основном несовершенством кристалла, а подавляющее число веществ не является идеальными кристаллами, то в очень многих образцах спектры ЯКР не обнаруживаются, а в целом ряде веществ они не могут быть и в принципе обнаружены стационарными методами. [15]
Страницы: 1 2 3 4