Cтраница 4
Более совершенные теории [6-8], в общем, действительно подтвердили, что при больших скоростях кристаллизации перед фронтом роста создается эффективное переохлаждение. Его возникновение делает неустойчивой поверхность раздела фаз, что приводит к несовершенству вырастающего кристалла. К сожалению, условия роста, анализируемые в [2-8], предполагаются изотермическими. Это не вполне отвечает тем условиям, которые наблюдаются при техническом выращивании кристаллов методами Чохральского и зонной плавки, когда рост вызывается механическим перемещением внешнего градиента температур, а теплопотери в среду могут играть значительную роль. [46]
Такая экспоненциальная зависимость электропроводности уже давно наблюдалась в полупроводниках при высоких температурах. Вильсон предположил, что поведение полупроводников в области низких температур обусловлено несовершенством кристалла, связанным либо с механическими дефектами, либо с химическими примесями. Выше предполагалось, что в запрещенной зоне отсутствуют разрешенные уровни энергии, однако это утверждение относится к случаю идеального кристалла. Вильсон показал, что наличие примесей в кристалле приводит к появлению в запрещенной зоне локальных энергетических уровней в непосредственной близости к краям зоны проводимости или заполненной зоны. [47]
Как и свободные электроны и дырки, экситоны представляют собой высокоподвижные частицы с волновыми функциями блрховского типа. Выше уже упо миналось, что такие плоские волны легко рассеивают ся несовершенствами кристалла или тепловыми коле баниями. [48]
В германии и кремнии экспериментально наблюдаемое малое время жизни объясняется следующим образом. Предполагается, что в этих двух случаях имеются центры рекомбинации, вызванные, например, несовершенствами кристалла. Предположим, что в результате нерегулярности кристалла в зонной структуре имеются разрешенные энергетические уровни, лежащие достаточно высоко над верхней границей валентной зоны, Wv, но значительно ниже дна зоны проводимости, Wc. [49]
Картина, которую мы нарисовали, является слишком упрощенной даже при О К по следующим причинам: мы не принимали во внимание туннелирование между тремя потенциальными ямами, энергию нулевых колебаний в пределах одной ямы, а также эффекты напряжения. Из этих причин первые две являются характеристиками динамического эффекта Яна - Теллера; третья связана с несовершенством кристалла и служит препятствием для наблюдения в спектре магнитного резонанса эффектов, обусловленных механизмом туннелирования. [50]
Понятие о Л эфф может быть распространено также на ферромагнетик, на который внешние силы не действуют. В таком случае ст является величиной внутренних напряжений, возникающих в результате наклепа, мозаичной структуры и других несовершенств кристаллов, из которых состоит тело. Даже в идеальном монокристалле конечных размеров при охлаждении в точке Кюри появятся напряжения. [51]
ЛГэфф может быть распространено также на ферромагнетик, на который внешние силы не действуют. В таком случае о является величиной внутренних напряжений, возникающих в результате наклепа, мозаичной структуры и других несовершенств кристаллов, из которых состоит тело. Даже в идеальном монокристалле конечных размеров при охлаждении в точке Кюри появятся напряжения. [52]
Это привело к описанию структуры несовершенного кристалла с использованием термина мозаичные структуры ( 1921) Однако, революционные представления в понимании несовершенства кристаллов были достигнуты лишь через 20 лет при переходе от мезоскопического описания несовершенств кристалла к анализу дефектов на атомном уровне - дислокациям. [53]
Это привело к описанию структуры несовершенного кристалла с использованием термина мозаичные структуры ( 1921) Однако, революционные представления в понимании несовершенства кристаллов были достигнуты лишь через 20 лет при переходе от мезоскопического описания несовершенств кристалла к анализу дефектов на атомном уровне - дислокациям. [54]
Абсолютная масса вещества в элементарной ячейке будет известна, если определить ее объем и плотность кристалла. Длину сторон н углы элементарной решетки можно непосредственно и со значительной точностью определить рентгенографическим методом ( до нескольких частей на 100000, используя прецизионные камеры), однако, точное измерение плотности провести довольно трудно, вследствие несовершенства кристаллов и присутствия поглощенных газов. [55]