Несовершенство - кристалл
Cтраница 3
Термомеханическая обработка ( ТЛЮ) - сочетание операций пластического деформирования, нагрева и охлаждения, в результате которых формирование окончательной структуры сплава и его свойств происходит в условиях повышенного числа несовершенств кристаллов, - обеспечивает резкое возрастание характеристик пластичности стали - относительного удлинения и сужения, а также пределов прочности и текучести. [31]
Таким образом ТМО металлов представляет собой совокупность операций пластического деформирования, нагрева и охлаждения, в результате которых формирование окончательной структуры сплава, а следовательно, и его свойств происходит при повышенном числе несовершенств кристаллов, созданных пластическим деформированием при высоких температурах. [32]
Драйден и Микинс утверждают, что механизм этих релаксационных процессов неизвестен, но одновременно они высказывают предположение о их возможной связи с дипольной ориентацией, независимой от ориентации молекул в целом, или с несовершенствами кристалла, отличными от тех, которые вызывают, как считают, поглощение в других областях радиочастот. Факторами, подтверждающими представление о сегментном механизме ориентации, являются отсутствие какого-либо заметного изменения критической длины волны или положения максимума поглощения с изменением длины молекулы и быстрое уменьшение интенсивности поглощения при перемещении полярной группы от конца молекулы к ее середине. Молекулы трипальмитина и тристеарина имеют такую форму, что не могут в целом вращаться в кристаллической решетке; в этом случае для а-фазы при низких температурах найдены [13] степени свободы дипольной ориентации, причем области дисперсии показывают широкое распределение времен релаксации. Каковы бы ни были детали механизма ориентации, кручение или изгибы частей цепей, содержащих полярные карбоксигруппы, должны иметь место. Вероятнее всего, что время релаксации 38 - 10 - 12 сек, найденное для бензольных растворов полиэфиров 1 2-пропиленгликоля и адипиновой кислоты [86], имеет тот же порядок величины, что и в случае обсуждаемых высокочастотных релаксационных процессов. [33]
Последний имеет отличные от нуля матричные элементы между состояниями Sz О и Sz 2, что и приводит к расщеплению последних, причем переходы между ними оказываются разрешенными, если осциллирующее магнитное поле резонансной частоты параллельно оси г. Этот случай отличается от рассмотренного выше, поскольку слагаемое К2 может иметь значительную величину и в совершенном кристалле, представляя собой часть кристаллического потенциала; при этом его значение оказывается существенно больше тех изменений потенциала, которые вызваны несовершенством кристалла или искажениями Яна - Теллера. [34]
Понятие средней скорости ( v дтя реальных кристаллов можно ввести независимо от зонной модели, если проследить за движением электрона в течение достаточно долгого промежутка времени. Вследствие несовершенства кристалла, а также колебаний решетки электрон в кристалле движется не свободно, как это имело бы - место в случае плоской волны, а рассеивается на дефектах решетки. Такое рассеяние мо / кнэ рассматривать как столкновения электронов ( например, с фононами), при которых меняются величина и направление скорости электронов. [35]
 |
Микрофотография следов дислокаций. Х45 000.| Краевая дислокация, возникающая в результате сдвига. [36] |
Атом на самой кромке экстраплоскости А-А имеет меньше соседей, чем атом внутри совершенной решетки. Область несовершенства кристалла вокруг края экстраплоскости и называется краевой ( линейной) дислокацией. [37]
Вторая неточность связана с предположением о строго кристаллографическом росте зародыша и соответственно с использованием А / гпд и А пл, определенных при плавлении макроскопических кристаллов. Вследствие же несовершенства кристалла на начальных стадиях его образования использование таких значений Д / гпл и Д пл неправомерно ( см. разд. [38]
Различие между нормальным кристаллом с мозаичной структурой и идеальным кристаллом уже рассмотрено в гл. У металлов и сплавов несовершенство кристаллов имеет чрезвычайно важн е значение, так как оно определяет свойства вещества. Поэтому необходимо помнить, что свойства металлов нельзя объяснить на основании идеальных структур, которые будут описаны ниже. Приводимые здесь данные взяты из доклада Бредли, Брегга и Сайкса об исследованиях, главным образом рентгенографических, касающихся структур сплавов. [39]
Вероятно, они обусловлены несовершенствами кристалла, особенно дислокациями [39], которые возникают из-за примесей или даже из-за незначительных флуктуации условий во время его роста. Если эти трещины настолько широки, что способны пропускать молекулы адсорбированного газа или ионы ( или молекулы) из раствора, они будут давать вклад во внутреннюю поверхность. [40]
В самом общем случае степень анизотропии связей в кристалле будет оказывать влияние на характер спайности, которую обычно описывают такими терминами, как превосходная, полная, хорошая, отчетливая или слабая, в зависимости от того, являются ли поверхности спайности большими и гладкими или маленькими и неправильными. На характер спайности влияют также несовершенства кристалла. [41]
Ответ положителен, если поверхность представляет идеальную кристаллическую плоскость. Если плоскость не идеальна вследствие несовершенства кристалла или из-за неоднородности атомных слоев, могущих образовывать выступы и впадины, то кристаллографические положения могут отличаться по энергии. [42]
Если атомы в образце размещены строго периодически, то можно определить относительные фазы волн, рассеянных разными атомами, и соответствующим образом сложить волновые амплитуды. Любой беспорядок в положениях атомов или любые несовершенства кристаллов, которые нарушают строгий порядок в кристаллической решетке, будут вносить изменения в соотношение фаз волн, рассеянных разными атомами. Если подобные нарушения становятся существенными, то в выражениях для интенсивностей происходит усреднение фазовых множителей и могут быть потеряны более яркие динамические эффекты ( гл. [43]
Вычисления по теории возмущений [50] приводят к величине Е & 1 3 эВ, также превышающей экспериментальное значение. Заниженное значение Eg, получаемое в эксперименте, связано с несовершенством кристаллов. [44]
У монокристаллов GaAs проблема регулирования плотности винтовых дислокаций пока еще решена недостаточно. Слабо контролируется введение точечных дефектов, в частности, обусловленных внутренними несовершенствами кристалла, Наличие этих дефектов, кпоме того, мешает достаточному пониманию атомной структуры и электрооптических свойств данного материала. [45]
Страницы: 1 2 3 4