Несовершенство - решетка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Самая большая проблема в бедности - то, что это отнимает все твое время. Законы Мерфи (еще...)

Несовершенство - решетка

Cтраница 2


Помимо упомянутых дефектов в реальной структуре кристаллов всегда обнаруживается еще один тип несовершенства решетки, называемый дислокацией. Особенностями строения дислокаций, их числом, закономерностями перемещений определяются в значительной степени важнейшие характеристики металлов: пластичность, твердость, износостойкость. Процессы упрочнения и разупрочнения, эффективность термической обработки, получение тех или иных структур также определяются особенностями дислокационного строения. Различают краевые и винтовые дислокации.  [16]

Эти уровни, как и уровни, вносимые различными многообразными нарушениями и несовершенствами решетки, сказываются главным образом на процессе рекомбинации неосновных носителей и на времени их жизни. Мы вернемся к этой теме несколько позднее.  [17]

Для внутризонного и внутридолинного рассеяния свободных носителей заряда, помимо рассеяния не статических и динамических несовершенствах решетки, необходимо учитывать рассеяния их друг на друге. Несмотря на то, что введение самосогласованного поля учитывает взаимодействие носителей друг с другом и полный квазиимпульс системы сохраняется, электрон-электронное взаимодействие, например, уменьшает подвижность носителей за счет перераспределения энергии и квазиимпульса между электронами: быстрые электроны получают меньший импульс, чем медленные.  [18]

Следовательно, в реальных кристаллах имеются места ослабленных связей между атомами, обусловленные несовершенствами решетки. Несовершенства решетки реальных металлических кристаллов обусловлены различными причинами: наличие примесей, образующих растворы внедрения и замещения, отсутствие в узлах решетки атомов ( вакансии, дырки), излишние, занимающие междоузлия ( дислоцированные) атомы, наличие блоков мозаики, границы зерен. Особый вид несовершенств представляют дислокации.  [19]

Согласно существующим представлениям [18, 45] основной причиной упрочнения, кроме объемных изменений, является наследование у-фазой несовершенств решетки мартенсита ( величины блоков, угла моэаичности, плотности дислокаций) при обратном о - у превращении. Однако такое заключение, при котором не уделяется достаточного внимания механизму обратного а - у превращения, не исчерпывает всей сложности явлений упрочнения у-фазы. Исследования обратного а - у превращения в желеэоникелевых сплавах показывают, что структурный механизм а - у превращения и упрочнение аусте-нита существенно зависят от скорости нагрева и морфологии исходного мартенсита. Поэтому в предлагаемой монографии значительное место отведено исследованиям структурного механизма и кристаллографии мартенситного а - у превращения в Fe-Ni сплавах.  [20]

Драйден и Микинс пришли к выводу, что низкочастотное или радиочастотное поглощение в этих соединениях зависит от несовершенств решетки в местах, где происходит вращение молекул, а не от неупорядоченности в продольном расположении молекул, которая в ранних исследованиях [16], казалось бы, могла служить удовлетворительным объяснением поведения цепочечных сложных эфиров.  [21]

22 Намагничение в функция поля для материала с отрицательной поверхностной энергией на границе раздела сверхпроводящая - несверхпро - / водящая фазы. [22]

Вторая теория предлагает нитевидную структуру в сверхпроводящем теле, которая может быть создана вокруг стационарных дислокаций или других несовершенств решетки, образующихся при изготовлении и обработке образцов. Обе теории о поведении сверхпроводника почти аналогичны, согласно им проникновение магнитного потока начнется до того, как будет достигнуто критическое поле, и сверхпроводник будет нести токи ( или части его будут оставаться в сверхпроводящем состоянии) до поля значительно более высокого, чем критическое поле массивного сверхпроводника.  [23]

Следует полагать, что величина и знак макронапряжений определяются прежде всего дислокационной структурой и характером распределения дислокаций и других несовершенств решетки по глубине деформированного поверхностного слоя.  [24]

Объяснение этих, казалось бы, аномальных явлений было предложено Франком [22], который указал, что большинство кристаллов имеет несовершенства решетки в виде дислокаций и что определенные дислокации обусловливают такой механизм роста, при котором для продолжения роста кристаллической поверхности повторного центрообразования не нужно. Этот постулат является основой теории роста несовершенных кристаллов.  [25]

Интересную проблему поставило взаимодействие примесных атомов и дислокаций, которое, например, в случае электропроводности и ковкости выражается функцией температуры, степени чистоты и несовершенств решетки. Электропроводность кремния внезапно возрастает при 900 [13], при этой температуре наступает начало пластичности. У германия при 500 также одновременно возрастает электропроводность и появляется пластичность. Эти явления можно легко объяснить, приняв, что при указанных температурах примесные атомы отделяются от дислокаций. Изменение элетропроводности металлов из-за освобождения примесных атомов достаточно точно измерить не представляется возможным; при отделении примесных атомов наблюдали только возникновение дислокаций. Такое выделение может произойти уже при низких температурах, если концентрация примесных атомов станет малой.  [26]

27 Дифференциальные термограммы Ni-В - покрытий ( А, В и В-образцы, содержащие соответственно 4 3. 5 7 и 6 4 вес. % бора.| Зависимость скорости выделения водорода из Ni-В - покрытий от температуры нагрева ( обозначения те же, что и на 1. [27]

На начальной стадии превращений ( до 200) основным источником выделяемого водорода, по-видимому, является атомарный водород, адсорбированный по границам зерен и в местах структурных несовершенств решетки твердого Ni-В - Н - раст-вора.  [28]

Это говорит о том, что олово независимо от его электронейтральности по отношению к сплавам Si-Ge искажает решетку исходного сплава и за счет рассеяния носителей на несовершенствах решетки вызывает снижение подвижности.  [29]

Если говорить о конкретных механизмах гистерезисных потерь, то их следует связать с задержкой движения ДГ на магнитных и немагнитных включениях, на межзеренных границах и всевозможных несовершенствах решетки отдельных кристаллитов. В связи с этим становится ясным, что имеются большие трудности на пути создания теории гистерезисных потерь. Что касается вихретоковой составляющей ЭП, то, на наш взгляд, здесь за время, прошедшее с момента опубликования работы [24], достигнут существенный прогресс. Это связано с большим вниманием, которое уделялось исследованию именно вихретоковой составляющей ЭП. Дело в том, что по мере совершенствования выпускаемой промышленностью электротехнической стали ( создание стали с высокой степенью совершенства кристаллографической текстуры и высокой степенью чистоты) гистерезисные потери удалось снизить настолько, что определяющую роль стали играть вихретоковые потери и возникла проблема их уменьшения. В электротехнических сталях с высоким совершенством текстуры весьма важную роль в ЭП начинает играть ДС. При этом выяснилось, что недостаточно знать только статическую ДС. Оказалось, что даже для качественного описания целого ряда закономерностей в потерях важное значение имеет и динамическое поведение ДС. Поскольку это поведение не сводится к колебательному ( поступательному) движению ДГ в переменном ( постоянном) во времени магнитном поле, а в общем случае происходят сложные динамические изменения формы ДГ и при определенных условиях и динамическая перестройка ДС в целом, задача об исследовании ЭП становится весьма интересной не только в прикладном, но и в фундаментальном научном плане.  [30]



Страницы:      1    2    3    4