Несовершенство - решетка
Cтраница 3
На начальной стадии превращений ( до 200 С) основным источником выделяемого водорода, по-видимому, является атомарный водород, адсорбированный по границам зерен и в местах структурных несовершенств решетки твердого Со-В - Н - раствора. [31]
Несмотря на использование самого мягкого излучения, нередко этого не удается добиться вследствие весьма быстрого убывания интенсивности линий с увеличением угла ft, вызванного тепловыми колебаниями атомов и несовершенством решетки кристаллов. [32]
Рентгенографическое исследование сильно легированных монокристаллов кремния [70] показало, что сильно развитая ячеистая структура в слитке имеет блочный характер; углы разориентировки между блоками достигают 12, что свидетельствует о значительном несовершенстве решетки монокристалла. В [23] были обнаружены ряды дислокаций в области границ сильноразвитых неправильных ячеек, а в [56] - дефекты типа дефектов упаковки. Источником структурных дефектов во всех этих случаях являются дополнительные напряжения, возникающие в кристалле из-за сегрегации примесей по границам ячеек. [33]
Таким образом, работа выхода включает две составные части: [ г - химический потенциал, являющийся чисто объемным свойством ( величина и / е иногда рассматривается как внутренняя работа выхода), и % - поверхностный потенциал, зависящий от структуры и изменяющийся от грани к грани монокристалла, так как распределение электронов зависит от деталей расположения поверхностных атомов. Несовершенства решетки или поверхностные примеси также оказывают сильное влияние на %, а, следовательно, и на работу выхода. Измерение последнего эффекта составляет основной предмет данной главы. [34]
Следовательно, в реальных кристаллах имеются места ослабленных связей между атомами, обусловленные несовершенствами решетки. Несовершенства решетки реальных металлических кристаллов обусловлены различными причинами: наличие примесей, образующих растворы внедрения и замещения, отсутствие в узлах решетки атомов ( вакансии, дырки), излишние, занимающие междоузлия ( дислоцированные) атомы, наличие блоков мозаики, границы зерен. Особый вид несовершенств представляют дислокации. [35]
Рентгенофазовый анализ все шире применяется в химических исследованиях, поэтому основное внимание в книге уделено количественному и качественному анализу неорганических веществ, использованию метода порошка для решения некоторых задач структурного анализа ( индицирование дебаеграмм), прецизионному определению параметров решетки. Рассмотрено влияние несовершенств решетки и размеров кристаллитов на дифракционную картину. [36]
Различают дислокации краевые ( линейные) и винтовые. Краевая дислокация представляет собой несовершенство решетки ( рис. 45), когда число атомных плоскостей, расположенных выше и ниже плоскости скольжения, неодинаково. [37]
Наблюдения в процессе роста выявили два важных момента - жид-кообразное срастание зародышей и островков, а также реориентацию или рекристаллизацию островков. Обнаружено также образование и исчезновение несовершенств решетки в процессе роста. [38]
Отсюда видно, что т есть такое время, через которое концентрация неосновных носителей вследствие рекомбинации уменьшается в е 2 7 раза. При наличии примесей ( или иных несовершенств решетки) т и LD уменьшаются. [39]
Наиболее распространены энергетические дефекты - фоно-ны - временные искажения регулярности решетки кристалла, вызванные тепловым движением ( подробнее о фононах см. в гл. К энергетическим дефектам кристаллов относятся также временные несовершенства решетки ( возбужденные состояния), вызываемые воздействием различных радиации: света, рентгеновского или у-излучения, - излучения, потока нейтронов. [40]
У отожженных металлов и сплавов, обладающих более совершенной решеткой, при облучении гораздо сильнее повышаются твердость и прочность в сравнении с закаленными или наклепанными, решетка которых содержит значительно большее число дислокаций и других дефектов. Очевидно, дислокации и дефекты решетки поглощают и уничтожают новые несовершенства решетки, образующиеся при облучении, и тем значительно снижают эффект облучения. [41]
В поликристаллических металлах процесс ползучести осложняется наличием границ между зернами и блоками, которые могут влиять на нее двояко. При температуре ниже равнопрочной благодаря наличию на этих границах несовершенств решетки и примесей, они препятствуют перемещению дислокаций. Наоборот, при температуре выше равнопрочной границы между зернами и блоками оказываются наиболее слабыми местами, по которым легче протекает пластическая деформация, облегчается протекание диффузии и самодиффузии благодаря перемещению сосредоточенных на них вакансий. Поэтому разрушение при высоких температурах, как правило, происходит по границам зерен, при более низких температурах и комнатной обычно трещины идут через зерно. В связи с этим крупнозернистые металлы и сплавы при более высокой температуре более прочны, чем мелкозернистые; при менее высокой и комнатной температуре, наоборот, выгоднее мелкозернистые. [42]
 |
Зависимость коэффициента собственного поглощения I ] и фотопроводимости Стф полупроводника от длины волны ( а. экситонные состояния ( б. [43] |
Возникнув, они некоторое время блуждают по объему полупроводника. При столкновении с фононами, примесными центрами и други-ми несовершенствами решетки экситоны или реком бинируют или разрываются. В первом случае возбужденные атомы переходят в нормальные состояния, а энергия возбуждения передается узлам решетки или излучается в виде квантов света. Во втором случае образуется пара носителей - электрон и дырка. Она и обусловливает фотопроводимость полупроводника. [44]
Наблюдения в процессе роста обеспечивают детальную информацию о структурных изменениях, которые происходят при эпитаксиальном осаждении, такими методами, как испарение в вакууме и распыление. Они обеспечивают также подробную информацию о механизме формирования пленки и образовании несовершенств решетки в тонких слоях. Примеры таких наблюдений будут рассмотрены более подробно. [45]
Страницы: 1 2 3 4