Несовершенство - решетка
Cтраница 4
 |
Дефекты упаковки на краю дырок золотой пленки.| Механизм генерации дислокаций несоответствия. [46] |
Кроме дефектов, пластическая деформация может вызвать передвижение дислокаций, вызванных другими причинами. По скольку роль пластической деформации недостаточно выяснена, то это может привести к образованию несовершенств решетки в эпитаксиально выращенных пленках. [47]
Пленка окиси тантала не может считаться совершенно идеальной в отношении отсутствия в ней сквозных пор, хотя качество ее в этом отношении значительно лучше, чем пленки окиси алюминия. Наличие подобных пор может быть обусловлено как присутствием инородных загрязнений на поверхности тантала, так и несовершенством решетки окиси тантала в отдельных участках. [48]
Важной особенностью предлагаемой Мэнли модели является то, что микрофибриллы не содержат аморфных областей, по крайней мере как раздельной фазы. Каждая микрофибрилла представляет собой квазиодиночный кристалл, и диффузность рефлексов на рентгенограммах целлюлозных волокон будет возрастать в зависимости от различных типов несовершенств решетки, например от складок цепей и беспорядка во взаимном расположении микрофибрилл. [49]
Это примеси, образующие растворы внедрения и замещения, отсутствие атомов в узлах решетки, лишние атомы между узлами решетки и др. Дислокации являются особым видом несовершенства. Различают дислокации линейные и винтовые. Линейная дислокация представляет собой несовершенство решетки, когда над плоскостью скольжения и ниже ее число атомов в плоскостях неодинаково. Лишняя по сравнению с идеальной решеткой плоскость вызывает искажения - сжатие или растяжение решетки. [50]
На рис. 188, г показано изменение концентраций пр и рп с удалением от границы р - n - перехода. На расстоянии х - & 4L концентрация становится практически равновесной. Длина L сильно зависит от природы полупроводника, примесей и других несовершенств решетки. У очень чистого германия L превышает 1 мм; у германия, легированного примесями, L измеряется десятыми долями миллиметра. [51]
Однако, учитывая большую массу тяжелых дырок и большее эффективное число состояний в зоне тяжелых дырок, мы получим согласно формуле (3.34), что концентрация тяжелых дырок много больше концентрации легких. Поэтому в большинстве актов рассеяния участвуют тяжелые дырки, и рассеяние в зону тяжелых дырок будет в основном определять время релаксации как для легких, так и для тяжелых дырок. Для внутризонного и внутридолинного рассеяния свободных носителей заряда, помимо рассеяния на статических и динамических несовершенствах решетки, необходимо учитывать рассеяние их друг на друге. Несмотря на то что введение самосогласованного поля учитывает взаимодействие носителей друг с другом и полный квазиимпульс системы сохраняется, электрон-электронное взаимодействие, например, уменьшает подвижность носителей за счет перераспределения энергии и квазиимпульса между электронами: быстрые электроны получают меньший импульс, чем медленные. [52]
В подавляющем большинстве случаев глицериды высших жирных кислот характеризуются точно такими же диэлектрическими свойствами, как и обычные сложные эфиры высших жирных кислот, а иногда и спирты. Их поведение осложняется разнообразием и метастабильностью кристаллических модификаций, а часто и наличием несовершенств решетки и поляризацией на границах раздела. [53]
Для температур, близких к температуре плавления кристалла, / может уменьшаться до 6 - 10 межатомных расстояний. При очень низких температурах / достигает величины порядка 0 1 см. Характер изменения длины свободного пробега фонона в зависимости от температуры во многом накладывает отпечаток на температурную зависимость теплопроводности. Величина средней длины свободного пробега фонона / определяется главным образом двумя процессами - рассеянием на статических несовершенствах решетки ( например, дефекты) и рассеянием фононов на фононах. [54]
Несовершенства кристаллической решетки облегчают чужеродным атомам путешествие внутри нее. При небольших размерах этих атомов они свободно перемещаются в междоузлиях. Обработку углеродом, азотом и бором начинают после механической деформации, когда диффузия чужеродных атомов значительно облегчается несовершенствами решетки. [55]
Интуитивно чувствуется, что для процесса лавинообразования на поверхности необходимо меньшее электрическое поле. Носители у поверхности полупроводника слабее связаны с решеткой из-за больших нарушений и поверхностных несовершенств. Из-за несовершенства решетки у поверхности или из-за загрязнений пробой в этой области обычно резко локализован. Это проявляется в виде интенсивного местного нагревания при большой плотности выделяющейся мощности. [56]
 |
Дефекты кристаллической решетки. а - вакансия. б - внедренный атом. [57] |
Точечными или нуль-мерными несовершенствами являются в а - кансии и внедренные атомы. В реальных кристаллах не все узлы в решетке заняты атомами. Из-за отсутствия одного атома ( иона) происходит смещение окружающих атомов, как схематично изображено на рис. 4, а. Этот вид несовершенства решетки называется вакансией. Такие несовершенства называются внедренный, или межузельный атом. Одна из главных причин появления вакансий и межузельных атомов заключается в том, что отдельные атомы в узлах решетки под действием температуры приобретают столь большую энергию, что оказываются способными уходить со своих обычных мест. Поэтому с ростом температуры число точечных несовершенств возрастает. [58]
Страницы: 1 2 3 4