Низкоомное

Cтраница 1

Низкоомное реле Р при нормальных условиях находится под током и его контактные пружины разомкнуты. При прекращении управляющего тока реле PI отпускает и создает цепь для срабатывания реле Р2, которое своими контактами обеспечивает подачу в сторону канала непрерывного сигнала положительной полярности ( 60 в) и включение сигнализации. Пер указывает канал, передатчик которого блокирован. [1]

Технологический процесс изготовления структуры p - i - n фотодиода. [2]

Изготовление низкоомного Р - СЛОЯ возможно также методом ионной имплантации или методом диффузии в окна, образованные в пленке оксида. Создание на поверхности фотодиода просветляющего покрытия из SiQz уменьшает потери на отражение и повышает эффективность фотоэлектрического преобразования. [3]

Сси при низкоомном RT следует учесть проходную емкость Сзс. [4]

Микрофон. акустических систем. [5]

ВО) и низкоомного ( НО) микрофонов МК-10 от тока питания [14], а на рис. 2.16 изображена частотная характеристика чувствительности микрофона МК-Ю, работающего в режиме микротоков. [6]

Открытое состояние тиристора соответствует низковольтному и низкоомному участку прямой ветви ВАХ. На рис. 5.1 открытому состоянию тиристора соответствует участок 2 ВАХ. Между первым и вторым участками ВАХ находится переходный участок, соответствующий неустойчивому состоянию тиристора. Особенно проявляется неустойчивость при относительно малом сопротивлении во внешней цепи тиристора. Тогда переключение тиристора из закрытого состояния в открытое и обратно происходит по штриховым линиям ( рис. 5.1), наклон которых определяется обычно относительно малым сопротивлением нагрузки. [7]

Тогда следует использовать делитель напряжения, состоящий из постоянного высокоомного и переменного низкоомного сопротивлений. С последнего падение напряжения подают на вход электронного потенциометра. При питании делителя напряжения от сухого элемента ( 1 5 в) величины этих сопротивлении соответственно выбирают приблизительно 1 5 мгом и 100 ом. Можно применить и такой метод примерной оценки чувствительности: медленно и равномерно изменяют напряжение, подаваемое с потенциометра, так, чтобы прибор успевал следить за этим изменением. [8]

Как показывают результаты измерения э.п.р. Fe3 в вы-сокоомном и низкоомном арсениде галлия [16], параметр расщепления в кубическом поле а существенно зависит от сопротивления материала или степени его компенсации. [9]

Зависимость относительного [ IMAGE ] Зависимость изменения относи. [10]

На рис. 15 приведены зависимости изменения относительного сопротивления от температуры для низкоомного ( 45 ом) образца из полициановой кислоты ( 1), для более высокоомного ( 3660 ом) образца из полицианамида ( 2) и для одного из образцов полупроводниковых неорганических тензодатчиков л-го типа. [11]

Подобной вольт-амперной характеристикой обладают сплавные диоды с базой, изготовленной из низкоомного ( высоколегированного примесью) полупроводникового материала. При этом образуется тонкий / - - переход с очень четкими границами, что и создает условия для возникновения резкого электрического пробоя при относительно низких обратных напряжениях. [12]

На задней стенке расположены справа гнезда для подключения внешних источников сигнала звукоснимателей ( низкоомного и высоко-омного), радиоприемника, магнитофона и гнездо линейного выхода. Слева находятся переключатель напряжения сети, предохранитель, гнезда для подключения акустических систем правого и левого каналов, стереоте-лефонов, кнопка отключения акустических систем и шнур для подключения к сети питания. [13]

Технологический маршрут получения резмстивного и проводящего элементов методом двойной фотолитографии. [14]

При производстве пленочных микросхем, содержащих проводники и резисторы из двух различных ( высокоомного и низкоомного) резистивных материалов, рекомендуется такая последовательность операций: поочередное напыление пленок сначала высокоомного, затем низкоомного резистивных материалов; напыление материала проводящей пленки; фотолитография проводящего слоя; фотолитография низкоомного резистивного слоя; фотолитография высокоомного резистивного слоя; нанесение защитного слоя. [15]

Страницы: 1 2 3 4