Низкоомное

Cтраница 2

На рис. 2 - 8 в показан кристалл эпитаксиального диода, у которого на пластину из низкоомного ( сильнолегированного) кремния, обозначенного символом р, нанесен базовый эпи-таксиальный высокоомный р-слой, а на него - низкоом-ный эпитакеиальный слой п, являющийся эмиттером. [16]

На рис. 2 - 8 в показан кристалл эпитаксиального диода, у которого на пластину из низкоомного ( сильнолегированного) кремния, обозначенного символом р, нанесен базовый эпи-таксиальный высокоомный р-слой, а на него - низкоом-ный эпитаксиальный слой п, являющийся эмиттером. [17]

Вольт-амперная характеристика приведена на рис. 3.16. Подобной характеристикой обладают сплавные диоды с базой, изготовленной из низкоомного ( высоколегированного) полупроводникового материала. При этом образуется узкий р-л-переход, что создает условия для возникновения электрического пробоя при относительно низких обратных напряжениях. [18]

При отсутствии контрольного лабораторного потенциометра для поверки порога чувствительности можно использовать делитель напряжения, состоящий из постоянного высокоомного и переменного низкоомного сопротивлений. С последнего падение напряжения подают на вход электронного потенциометра. При питании делителя напряжения от сухого элемента ( 1 5 в) величины этих сопротивлений соответственно выбирают приблизительно 1 5 мгом и 100 ом. Можно применить и такой метод примерной оценки чувствительности: медленно и равномерно изменяют напряжение, подаваемое с потенциометра, так, чтобы прибор успевал следить за этим изменением. [19]

Интересно отметить, что подвижность носителей в высокоомном GaAs может быть гораздо меньше, чем в низкоомном, даже когда некоторые высокоомные образцы имеют малую общую концентрацию примесей. В полупроводнике n - типа измерения дают для подвижности значения, лежащие между 800 и 7000 смг. [20]

Диффузионный резистив-ный компонент полупроводниковой интегральной микросхемы. [21]

Так, например, для высокоом-ного кремния ТКС7000 - 10 6 град 1, а в случае низкоомного сильно легированного материала ТКС имеет отрицательный знак. Номинал таких сопротивлений не превышает 10 ком. [22]

ФП - и ФЭМ-эффекты при комнатной температуре были изучены как на высокоомном компенсированном, так и на низкоомном GaAs ( см. гл. В низкоомлом материале время жизни неосновных носителей лежит в пределах от 10 - 13 до 10 - 10 сек, но в высокоомном полупроводнике наблюдалось время жизни несколько меньше 1 мксек. Только в отдельных образцах высокоомного GaAs было мало ловушек, и в этом случае дополнительным освещением можно было свести их влияние к ничтожной величине. Времена жизни основных и неосновных носителей в этом случае совпадали и обычно были равны 10 - 7 сек. Ни УФЭЛЬ ни Уфпне пропорциональны интенсивности света, и ФЭМ - и ФП-спектры существенно различаются. [23]

Диоды на основе аморфных полупроводников могут использоваться в качестве элементов памяти, причем запоминаемое состояние ( высокоомное или низкоомное) остается и после выключения источника питания. [24]

Достоинствами измерительного генератора являются: а) низкое значение выходного импеданса ( обычно выходное напряжение генератора снимается с низкоомного чисто омического сопротивления), б) большой диапазон генерируемых частот, в) возможность в широких пределах изменять выходное напряжение ( аттенюация), г) стабильность частоты и пр. [25]

Из сопоставления картин на продольных шлифах и спирали на цилиндрической поверхности кристаллов можно заключить, что витки спирали являются выходом низкоомного, обогащенного примесями винтового слоя на поверхность кристалла, а впадины между. [26]

Для улучшения качества транзистора может быть применен двухслойный коллектор, состоящий из высокоомного слоя, примыкающего к базе, и низкоомного, примыкающего к контакту. Так - появились два типа триодов-эпитаксиальный и ламинарный. [27]

При использовании генератора импульсов Г5 - 1 следует помнить, что коаксиальные кабели, прилагаемые к прибору, можно применять только при низкоомном ( менее 200 ом) входе индикаторного устройства. Это имеет место при подаче импульсов на низкоомные коаксиальные входы видеосигнала, пусковых или селекторных импульсов индикаторного устройства, которые часто имеют сопротивление 75 ом. В других случаях соединение прибора с настраиваемой схемой должно производиться двумя отдельными проводниками. Для уменьшения емкости, ухудшающей форму импульса и влияющей на работу исследуемой схемы, проводники должны быть короткими и расположены возможно дальше один от другого. [28]

В генераторах этого типа на слой сравнительно высокоомного арсенида галлия, служащего рабочей частью генератора, наращивают с двух сторон эпитакси-альные слои относительно низкоомного арсенида галлия с электропроводностью n - типа. Эти высоколегированные слои служат переходными прослойками от рабочей части прибора к металлическим контактам. [29]

В генераторах такой структуры на слой сравнительно высокоомного арсенида галлия, служащего рабочей частью генератора, наращивают г двух сторон эпитаксиальные слои относительно низкоомного арсенида галлия с электропроводностью n - типа. Эти высоколегированные слои служат переходными прослойками от рабочей части прибора к металлическим электродам. [30]

Страницы: 1 2 3 4