Низкоомное

Cтраница 4

Следует, кроме того, иметь в виду, что выходное напряжение, or - считываемое относительно земли, совпадает по фазе ( полярности) с входным напряжением. Таким образом, усилитель с катодной нагрузкой повторяет сигнал, не изменяя ни его формы, ни величины, ни полярности напряжения, но переводя его с высокоомного сопротив ления на низкоомное. Поэтому усилитель с катодной нагрузкой часто называют катодным повторителем. [46]

Для ускорения подачи кодов АЛС в станционные рельсовые цепи при автоблокировке с релейно-кодовыми дешифраторами рекомендуется: кодовый трансмиттер первой по удалению перегонной установки держать постоянно включенным; применять специальное кодово-включающее реле, ускоряющее обесточива-ние путевого реле и кодирование рельсовой цепи участка удаления. Чтобы не подвешивать дополнительных проводов, схема кодово-включающего реле KB ( см. рис. 17) совмещается со схемой линейного реле. Низкоомное реле KB, включенное последовательно с линейным реле, нормально якорь не притягивает, так как ток в обмотке реле меньше по величине номинального тока отпадания якоря реле. Последнее обесточивается без замедления, обеспечивая быстрое включение кодов АЛС. [47]

Существует несколько способов изготовления транзисторов этого типа. Наиболее простой из них состоит в следующем. Из монокристалла низкоомного, например р 0 5сш - сл, дырочного германия вырезается пластина максимально возможной площади толщиной 0 5 мм, строго ориентированная по осям кристалла. Пластина шлифуется до плоскопараллелыюсти и при помощи ультразвука на нее наносятся в большом количестве ( 200 - 300) углубления размерами 0 25x0 15x0 1 мм каждое. Участки такой пластины показаны на рис. 2.53 а. Вместе с кусочком сурьмы пластина закладывается в эвакуированную кол-бу, которая помещается в печь; при достаточно высокой температуре происходит напыление сурьмы из газовой фазы и последующая ее диффузия вглубь германия. [48]

Типовая технология изготовления p - i-л-фотодиода ( рис. 5.31) содержит несколько основных операций. На исходной пластине высокоомного кремния с удельным сопротивлением р0 02 - 5 - 0 1 кОм - м выращивается методом газовой эпитаксии низкоомный л - слой кремния ( р 0 02 Ом - м), толщина низоомного слоя составляет 30 - 50 мкм. Затем сторону, противоположную низкоомному слою, сошлифовывают, добиваясь толщины слоя высокоомного исходного кремния ( t - области) около 50 мкм. На этой стороне методом эпитаксии выращивают второй низкоомный р - слой. Толщина р - слоя составляет 2 - 4 мкм. Затем трехслойную пластину подвергают окислению методом фотолитографии и создают в оксиде окна под контакты к Р - СЛОЮ. [49]

В основном усилитель С1 - 4 ( ЭНО-1) предназначен для усиления импульсных сигналов большой длительности. Амплитуда выходного напряжения усилителя составляет 150 - 170 в. Входное сопротивление высокоомное - 510 ком, низкоомное - 75 ом. [50]

Кинетика разложения гидразина на Ge.| Кинетика разложения гид. [51]

В качестве следующего объекта исследования были выбраны низко-омные образцы Ge. Содержание Sb в порошке было значительно меньшим вследствие возгонки в ходе высокотемпературной тренировки. На рис. 4 представлены кинетические кривые для реакции разложения гидразина на низкоомном Ge п-типа при различных температурах. [52]

Это позволяет применять для питания электродов ламп общий источник питания, используя сопротивления смещения и гасящие сопротивления вместо отдельных низкоомных источников напряжения, которые необходимы при однотактном каскаде. Кроме того, двухтактная схема менее чувствительна к колебаниям питающих напряжений. Амплитуда выходного напряжения усилителя составляет 150 - 170 в, входное сопротивление 510 ком, низкоомное 75 ом. [53]

Последними могут служить семейства ортогональных линий, аналития. Расчет сопротивлений схем замещения элементов ведется из тех же геометрич. Граничные условия 1-го рода задаются в виде распределения напряжений, для чего граничные узлы соединяются с выводами низкоомного реостатного или автотрансформаторного делителя. Граничные условия 2-го рода задаются с помощью источников тока, имеющих очень большое внутр. Подобным же образом задаются токи в узлы сетки при решении уравнений Пуассона. Практически токи задаются от делителей напряжения через значительные сопротивления, которые целесообразно выполнять реактивными в виде конденсаторов, вследствие их стабильности, дешевизны, а главное - выигрыша в напряжении модели. Граничные условия 3-го рода задаются с помощью омич. Измерение напряжений в узлах сетки, представляющих решение краевой задачи, производится комиенсац. [54]

Область стеклообразования невелика - примерно до 75 % ( мол. Полученные прозрачные гомогенные зеленые стекла, размягчающиеся при 640 - 650 С, обладают эффектом переключения из высокоом-ного состояния в низкоомное. [55]

Шумовые характеристики полевых и биполярных транзисторов существенно различаются. Шумовой ток полевых транзисторов значительно меньше, чем у биполярных, тогда как напряжения шума, особенно для транзисторов с управляющим р-и-переходом, имеют один и тот же порядок величины. Как следует из схемы замещения, представленной на рис. 4.37, при высокоомном источнике входного сигнала полевые транзисторы имеют значительно меньшие шумы, а при низкоомном шумовые характеристики полевых и биполярных транзисторов примерно одинаковы. [56]

Структура планарного транзистора. а - без скрытого слоя. б - со скрытым п - слоем. [57]

Полученные области n - типа, оставшиеся в эпитакси-альном слое после разделительной диффузии, называются карманами. Такие карманы разделены ( изолированы) друг от друга р-п переходами, созданными разделительной диф - фузией. Уменьшать удельное сопротивление эпитаксиального слоя нерационально: при этом уменьшается пробивное напряжение коллекторного перехода и возрастает коллекторная емкость. Тогда коллекторный ток протекает по низкоомному п - слою и сопротивление гкк резко снижается. Во время последующей эпитаксии ( четвертая операция) донорные атомы скрытого п - слоя под действием высокой температуры диффундируют в нарастающий эпитаксиальный - слой. Для того чтобы предотвратить чрезмерное распространение доноров, могущее привести к смыканию скрытого л - слоя с р-слоем базы, выбирают для скрытого слоя диффузант с малым коэффициентом диффузии - сурьму или мышьяк. [58]

Страницы: 1 2 3 4