Низкоомное

Cтраница 3

В несимметричных переходах концентрации рт и пло сильно различаются, поэтому концентрация инжектированных неосновных носителей будет гораздо больше в высокоомном слое, чем в низкоомном. Таким образом, в несимметричных переходах инжекция имеет односторонний характер: неосновные носители инжектируются в основном из низкоомного слоя в высокоомный. [31]

Выходной сигнал датчика, дающий полное отклонение на шкале показывающего прибора, составляет для высокоомного выхода 10 в на сопротивлении в 10 ком, и для низкоомного 1 в на 100 ом. Одна из модификаций такого рода датчика, предназначенная для измерения неустановившихся процессов большой частоты снабжена выходными зажимами для работы с электронно-лучевыми приборами. [32]

Классификация - вольт-амперных характеристик переключающих элементов. [33]

И халькогенидные, и оксидные полупроводниковые стекла, а также стекла в системах А11 - BIV - С % обладают свойством переключения под воздействием электрического поля из высокоомного состояния в низкоомное. [34]

При производстве пленочных микросхем, содержащих проводники и резисторы из двух различных ( высокоомного и низкоомного) резистивных материалов, рекомендуется такая последовательность операций: поочередное напыление пленок сначала высокоомного, затем низкоомного резистивных материалов; напыление материала проводящей пленки; фотолитография проводящего слоя; фотолитография низкоомного резистивного слоя; фотолитография высокоомного резистивного слоя; нанесение защитного слоя. [35]

Согласно [170], наличие дислокаций не должно влиять на концентрацию носителей тока в p - Ge. Опыты [514] показали, однако, что при пластической деформации низкоомного p - Ge электропроводность его заметно снижается, как-будто в объем p - Ge при его деформировании вводятся центры донорного типа. Результаты измерения фотопроводимости пластически деформированного p - Ge [507] обсуждены в рамках аналогичного допущения. Проведенное в [515, 516] рассмотрение влияния пластической деформации на концентрацию дырок в p - Ge показало, что этот эффект не обязательно должен быть связан с донорным действием дислокаций. [36]

Однако из-за планарного расположения контактного вывода коллектора у таких элементов увеличивается последовательное сопротивление коллекторного слоя в горизонтальном направлении и возрастает падение напряжения на нем, что ведет к увеличению энергетических затрат и ухудшению характеристик и параметров элементов. Уменьшение этого сопротивления достигается введением в нижнюю часть коллекторной области скрытого низкоомного я - слоя, через который и протекает основная часть коллекторного тока. [37]

Схема цветомузыкальной приставки Спектр-10. [38]

УКУ-210М, выпускаемое рижским ордена Ленина заводом ВЭФ имени В. И. Ленина, по своим электроакустическим данным может быть отнесено к Я - / ч-аппаратуре. Устройство предназначено для усиления моно - и стереосигналов от электромагнитного ( низкоомного) звукоснимателя, радиоприемника-тюнера, магнитофона. [39]

Аморфные полупроводники обладают рядом уникальных свойств. Например, у них ярко выражен эффект электрического переключения из высокоомного состояния в низкоомное и обратно. [40]

На рис. 3 е приведена схема фотореле, выполненная на фотосопротивления ФС без усилителя, а на рис. 3 ж - схема фо-торе ле, выполненная на фотодиоде ФД. Особенностью применения транзисторных усилителей фототока в схемах фотореле является необходимость согласования входа ( обычно низкоомного) этих усилителей с большим внутренним сопротивлением большинства фотоприемников. Для этого применяют входные трансформаторы или принимают специальные меры по увеличению входного сопротивления усилителей. Одной из таких мер является использование усилителя с нагрузкой в цепи эмиттера. [41]

Частные эквивалентные схемы диода ( а, б, в. вольт-амперная характеристика ( г и устройство ( д точечного диода Д10А. [42]

Для выполнения неравенства ( 2 - 24) на высокой частоте требуются малые значения емкости р-п перехода и сопротивления базы. Поэтому для работы на высокой частоте используют обычно точечные или микросплавные диоды с базой, выполненной из низкоомного ( сильнолегированного) полупроводника. При этом емкость р-п перехода не превышает нескольких единиц пикофарад, а диапазон рабочих частот простирается до 200 МГц. Так как площадь р-п переходов у точечных диодов относительно мала, то допустимая мощность рассеивания у них обычно не превышает 20 - 30 мВт, а значение прямого тока - нескольких десятков миллиампер. [43]

Дяр в высокоомном р-слое будет значительно больше, чем концентрация Др в и-слое. Следовательно, в диодах несимметричной конструкции инжекция носит односторонний характер и главную роль играют носители заряда, инжектируемые из сильнолегированного ( низкоомного) слоя в слаболегированный ( высокоомный) слой. Сильнолегированный инжектирующий слой называют эмиттером, а слаболегированный слой, в который инжектируются неосновные носители заряда, - базой. [44]

AI и Кл2, находящихся в положении РБТ, сопротивление R ( шунт для миллиамперметра) через устройство блокировки передатчика ( выпрямительный-мост М и низкоомное телефонное реле Р) поступают на вход частотно-модулированного генератора канала ЧМГ ( передатчика), где в соответствии с характером передаваемых сигналов получаются частотно-модулированные колебания. [45]

Страницы: 1 2 3 4