Нитрид - тантал
Cтраница 1
Нитриды тантала хорошо растворяются в смеси HF и HNO3; HC1 и HNO3 на них не действуют; горячая концентрированная H2SO4 действует очень медленно. [1]
Нитрид тантала, ТаЛт, выделяют нагреванием порошкообразного металлического тантала в смеси азота с водородом ( без доступа кислорода или паров воды), сильным нагреванием Ta3N5B газообразном NH3, пропусканием смеси паров ТаС15 с азотом и небольшим количеством водорода над нагретой до 2500 - 2800 вольфрамовой проволокой. [2]
Нитрид тантала, Ta3N5, получают обработкой газообразным аммиаком ТаС15 при высокой температуре. Он представляет собой красный порошок, который загорается при сильном нагревании на воздухе и взаимодействует с расплавленным КОН с выделением аммиака. [3]
Нитрид тантала образуется при накаливании смеси Та2О3 и угля в атмосфере азота. В зависимости от способа получения он бывает темно-голубого, серого или черного цвета. [4]
Теплоемкость нитрида тантала при 0 составляет 10 23 ккал / моль, удельное электросопротивление 135 00 мком-см, температура перехода в сверхпроводящее состояние 1 88 К. При совместном нагревании танталовой жести и фосфора до 550 было отмечено частичное соединение этих элементов. Фосфиды тантала были получены в результате реакции между измельченными в порошок танталом и фосфором при более высоких температурах ( 750) и повышенном давлении. [5]
Пленки нитрида тантала осаждаются в процессе LP RE ALD TaN ( TBTDET-Ar Ar atomic H) со скоростью 0 08 нм / цикл при Т 350 С. [6]
 |
Столбики, полученные электролитическим осаждением золота на стеклянных подложках с золотой металлизацией. [7] |
В слое тонкопленочной коммутации нитрид тантала - молибден - золото, защищенном фоторезистом, вскрываются окна над контактными участками. Далее термическим испарением или катодным распылением наносится электрод из золота. С помощью второго слоя фоторезиста вскрываются участки, на которых будет происходить электролитическое осаждение золота. [8]
По сравнению с нитридом титана нитрид тантала является химически более перспективным, так как он легко формирует диэлектрическую Ta3Ng фазу. [9]
 |
Поперечный разрез танталовой тонкопленочной схемы. [10] |
Для формирования резисторов на основе нитрида тантала повторяют процесс фотолитографии. Номиналы сопротивления могут быть подогнаны дополнительным электрохимическим анодированием нитрида. [11]
Пленки тантала ( Та) и нитрида тантала ( TaN) начинают использоваться в качестве барьерных слоев в системах металлизации на основе меди и диэлектриков с низкой и ультранизкой диэлектрической постоянной ( диэлектрики с НДП и УНДП) ( low k dielectrics и ultra low k dielectrics), изготавливаемых с помощью двойного дамасского процесса ( см. раздел 7.5), для микросхем с уровнем технологии ( УТ) 90 нм и меньше. [12]
Резисторы ГИССВЧ получают из тантала, нитрида тантала или хромоникелевых пленок. В схемах, где применяются конденсаторы на основе окиси тантала, предпочтительно использовать для создания резисторов тантал, так как этапы создания резисторов и конденсаторов будут выполняться одновременно и резистивные элементы могут быть покрыты защитным слоем окиси тантала. Никельхромовые пленочные резисторы защищают слоем напыленной моноокиси кремния, это улучшает стабильность их характеристик во времени. [13]
Поскольку твердые растворы азота в тантале и нитриды тантала обладают повышенным по сравнению с металлическим танталом значением р, то они представляют интерес для получения тонкопленочных резисторов. [15]
Страницы: 1 2 3 4