Нитрид - тантал
Cтраница 3
 |
Зависимость среднего показателя шума от времени, ч, при искусственном старении резистора с повышенной площадью контактов из Ti ( 50 нм, Аи ( 1100 нм. [31] |
Аи значительно меньше, чем у NiCr-Au, что явилось причиной широкого распространения системы NiCr-Pd - Аи в качестве контактов к пленочным резисторам из нитрида тантала. [32]
При массовом выпуске ЦВ применяют делители напряжения, выполненные из манганинового микропровода или на основе пленочной технологии, например, из резистивного сплава на основе нитрида тантала. Эти делители выполняются в виде единой конструкции из резистивного материала, позволяющего получить ТАКС одного знака и незначительной величины. [33]
На рис. 5.14 приведена последовательность операций при создании тонкопленочных резисторов: а - нанесение пленки нитрида тантала; б - нанесение маски из фоторезиста; в - травление пленки нитрида тантала; г - удаление фоторезиста; д - нанесение маски из фоторезиста и вскрытие областей анодирования; е - анодирование нитрида тантала; ж - удаление фоторезиста; з - напыление слоя хрома и золота; и - нанесение маски из фоторезиста; к - вскрытие областей контактов; л - осаждение золота на области контактов; м - удаление фото -, резиста и травление слоя хрома и золота. [34]
На рис. 5.14 приведена последовательность операций при создании тонкопленочных резисторов: а - нанесение пленки нитрида тантала; б - нанесение маски из фоторезиста; в - травление пленки нитрида тантала; г - удаление фоторезиста; д - нанесение маски из фоторезиста и вскрытие областей анодирования; е - анодирование нитрида тантала; ж - удаление фоторезиста; з - напыление слоя хрома и золота; и - нанесение маски из фоторезиста; к - вскрытие областей контактов; л - осаждение золота на области контактов; м - удаление фото -, резиста и травление слоя хрома и золота. [35]
Одним из таких типов резисторов являются стабильные пленочные резисторы из TajN. Однако высокодисперсный нитрид тантала активно взаимодействует даже с таким химически стойким материалом, ак золото. [36]
Решетка кристаллов нитрида тантала гексагональная с периодами: а 5 185 кх и с 2 908 кх. [37]
При распылении тантала небольшая добавка азота к аргону приводит к образованию в пленке между узлами кристаллической решетки азота. При увеличении примеси азота образуются нитриды тантала. Добавление к основному газу небольшой порции реактивного газа ( азота, кислорода, окиси углерода или метана) резко меняет электрические свойства напыляемых пленок. На рис. 1 - 6 показаны зависимости удельного сопротивления пленок, полученных катодным распылением тантала в атмосфере аргона ( давление 1 5 - 10 - 2 мм рт. ст.) в зависимости от парциального давления реактивного газа. [38]
 |
Тан-таловый тонкопленочный резистор. [39] |
Используемые для этой цели травители обычно содержат плавиковую кислоту. Поэтому, если тантал или нитрид тантала непосредственно наносятся на стекло, остеклованную керамику и Другие подложки, подверженные воздействию плавиковой кислоты, то при травлении часть подложки, окружающая рисунок из тантала, может быть разрушена. Приходится внимательно следить за процессом травления и сразу же удалять подложку из травителя после растворения всего ненужного материала. Разрушение подложки можно предотвратить, если использовать электрохимическое травление в смеси хлористого алюминия с метиловым спиртом, однако при этом происходит сильное подтравлива-ние самого рисунка. [40]
Другой вид термоэлектрического преобразователя отличается тем, что при его выполнении используется сочетание полупроводниковой и тонкопленочной технологий. На поверхность кристалла кремния нанесена металлическая пленка из нитрида тантала, служащая тонкопленочным резистором высокой прочности. Между кремнием и резистором образуется изолирующий слой из двуокиси кремния. В этом слое под одним из концов резистора примерно в центре кристалла выполнено отверстие, через которое резистор соединяется с кремниевым кристаллом, очень тонким в области соединения. Оно представляет собой горячий конец термопары. На: втором конце резистора и удаленном от центра конце кремниевого кристалла имеются выходные контакты ( из золота), с помощью которых осуществляется электрическое соединение с внешней схемой. Они также служат установочными элементами, используемыми для крепления кристалла к подложке ( холодному концу термопары) и отвода тепла. [41]
 |
Поперечный разрез СВЧ микросхемы, выполненной методом прямого травления толстых пленок. [42] |
Для создания надежной конденсаторной структуры с малым значением удельной емкости применяют двухслойный диэлектрик. Первый слой пятиокиси тантала формируют анодированием пленки тантала или нитрида тантала. Толщина полученной пленки Та2О5 относительно мала, а удельная емкость ее слишком велика для создания конденсаторов с малыми номинальными значениями. Нанося на основной слой пятиокиси тантала с большим значением диэлектрической постоянной ( е - - 22 пленку окиси кремния с малым значением диэлектрической постоянной ( е 6), легко получить малые удельные емкости в двухслойной структуре. Наличие двух слоев различных диэлектриков в конденсаторной структуре повышает надежность пленочных емкостных элементов. Верхний электрод-золото с подслоем хрома 4-получен термическим испарением в вакууме. Нижним электродом является слой нитрида тантала 3, сопротивление которого достаточно велико. [43]
Помимо кислорода наиболее часто в качестве активного газа при реактивном распылении используется азот. Представляют интерес как растворенный в тантале азот, так и нитриды тантала. Обычный метод измерения процентного содержания азота в пленках системы тантал - азот заключается в установлении определенной концентрации азота в рабочей атмосфере. [44]
Состав карбидных покрытий, подвергнутых химическому анализу, приведен в табл. 19, из которой видно, что при напылении карбида тантала потери углерода превышают 80 % от начального его количества. Появление азота в покрытии, полученном из карбида тантала, указывает на возможность образования нитрида тантала, TaN, а высокое содержание кислорода в обоих покрытиях свидетельствует о наличии в них двуокиси гафния и двуокиси тантала. [45]
Страницы: 1 2 3 4