Cтраница 2
Поскольку твердые растворы азота в тантале и нитриды тантала обладают повышенным по сравнению с металлическим танталом значением р, то их более широко используют при производстве тонкопленочных резисторов. [16]
![]() |
Поперечный разрез танталовой СВЧ микросхемы, содержащей элементы с сосредоточенным1. параметрами. [17] |
Затем на всю поверхность подложки наносят слой нитрида тантала 3, служащий основой для создания ре-зистивных элементов, а также для формирования диэлектрика конденсаторной стуктуры. [18]
Для получения сопротивления требуемой величины используют анодирование слоя нитрида тантала. Толщина проводящего слоя изменяется за счет образования на поверхности слоя пятиокиси тантала. Обычно вначале получают сопротивление, равное 20 - 30 ом / мм1, затем при помощи анодирования - сопротивление требуемой величины. [19]
Многослоевые композиции для контактов к пленочным резисторам из нитрида тантала TazN. Рассмотренная специфика диффузии в пленочных системах является определяющей для свойств многослойных пленочных композиций. Рассмотрим характерный пример, имеющий практическое значение для пленочных резисторов в микросхемах. [20]
При использовании метода непосредственного фототравления вначале вся подложка покрывается танталом или нитридом тантала, а затем тонким слоем фоточувствительной эмульсии. [21]
Для подгонки сопротивления и защиты от воздействия атмосферы пленочные резисторы из тантала и нитридов тантала подвергают частичному окислению. Металлические пленки тантала можно окислить термически или методом анодного окисления. Нитриды тантала более стойки к действию кислорода, чем металлический тантал; они заметно окисляются лишь при 800 С. Поэтому подгонку сопротивлений резисторов из нитрида тантала осуществляют обычно анодным электролитическим окислением. [22]
Для подгонки сопротивления и защиты от воздействия атмосферы пленочные резисторы из тантала и нитридов тантала подвергают частичному окислению. Металлические пленки тантала можно окислять термически или методом анодного окисления. Нитриды тантала более стойки к действию кислорода, чем металлический тантал; они заметно окисляются лишь при t 800 С. Поэтому подгонку сопротивлений резисторов из нитрида тантала осуществляют обычно анодным электролитическим окислением. [24]
Выбор восстановителя ( восстановительного реагента) и танталовых соединений в целях получения пленок нитрида тантала является основной проблемой. [25]
На рис. 5.14 приведена последовательность операций при создании тонкопленочных резисторов: а - нанесение пленки нитрида тантала; б - нанесение маски из фоторезиста; в - травление пленки нитрида тантала; г - удаление фоторезиста; д - нанесение маски из фоторезиста и вскрытие областей анодирования; е - анодирование нитрида тантала; ж - удаление фоторезиста; з - напыление слоя хрома и золота; и - нанесение маски из фоторезиста; к - вскрытие областей контактов; л - осаждение золота на области контактов; м - удаление фото -, резиста и травление слоя хрома и золота. [26]
При повышении температуры коэффициент термического линейного расширения тантала, диснлицида и карбида тантала возрастает, а нитрида тантала - уменьшается; у диборида тантала наблюдается максимум при температурах около 1600 С. [27]
Для лучшего сцепления с материалом подложки проводники изготовляются путем нанесения тонкого слоя хрома на пленочное покрытие из нитрида тантала. Далее поверх слоя хрома наносится слой золота и затем толстый слой меди, покрытый золотом. [28]
Стабильность во времени свойств резисторов, прежде всего сопротивления, обеспечивается применением химически малоактивных материалов ( тантала, нитрида тантала, рения) и защитой резисторов от воздействия атмосферы - пассивированием структур микросхем после их изготовления. [29]
Данные рентгеновского фазового анализа ( см. табл. 2) показывают, что в изученной температурной области окалина представлена фазами р - Та2О5 и нитридом тантала. Появление при 1100 С фазы а - Та2О6 стабильной обычно лишь при температурах выше 1350 С обусловлено ее стабилизацией углеродом. Следует отметить, что при окислении карбидов металлов V группы соответствующие нитриды обнаружены лишь при окислении NbC и ТаС и появляются в окалине, уже начиная с температуры 700, что находится в соответствии с данными приведенных термодинамических расчетов. Сопротивление окислению карбидов металлов V группы определяется, с одной стороны, структурными особенностями образующихся в процессе растворения кислорода оксикарбидных фаз МеС О, изменяющихся в ряду VCxOyKy6 - NbCxCvKy6 ( reKC) - TaQA, , представляющие различные возможности для диффузии газообразных компонентов реакции, с другой - защитными свойствами образующейся окалины. [30]